集成电路封装材料-芯片载体材料.pptxVIP

芯片载体材料;光刻胶作用及去除光刻胶方式

干法剥离、湿法剥离

光刻胶残留物包括

湿法剥离分为两种方式

光刻胶剥离液四代主流产品;芯片载体材料:Chipcarrier，亦称为封装载板或封装基板，是IC的关键材料，是IC的重要组成部分，是裸芯片与外界电路之间的桥梁。;芯片载体材料在IC封装中的主要作用：;集成电路封装按芯片载体分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。;目录;13.1芯片载体材料在先进封装中的应用;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.1芯片载体材料的产生和发展

;13.1.2芯片载体材料的分类与应用

;13.1.2芯片载体材料的分类与应用

;HTCC：Al2O3、AlN、SiC等，烧结温度1500~1900oC。

Al2O3优点：价格低、综合性能好、气密性好、可靠性好，热导率仅为20W/m·K，介电常数约为10，需要改良。易实现多层化，主要用于高速器件封装，如高频器件输入输出板、光通信器件、混合集成电路等。

AlN，热导率是Al2O3的20倍，CTE与硅相匹配，具有机械强度高、质量小优点为，是高密度、大功率电子封装理解载陶瓷板。应用于高频器件，高亮LED，半导体激光器件、大功率晶体管器件。

SiC，机械强度仅次于金刚石，具有优良耐磨性和耐腐蚀性，热导率同于Cu，CTE与硅接近，介电常数高，适用于低电压电路及高散热器件。;LTCC：烧结温度850~950oC。

温度较低，金、银、铜可选作导体金属，形成电路图形更加精细，可实现高密度布线。介

电常数低、CTE与硅接近，机械强度高，是制造复杂集成电路芯片产品的重要部件。

主要应用于超级计算机部件，新一代汽车电子控制单元部件、高频控制部件、电子迁移率三极管及通信用界面模块。;2.金属基板：以Al、Cu、Fe、Mo等金属板基板，在基材上制造绝缘层和导电层（铜箔）而制成。

优点：高耐热性、机械加工性、电磁屏蔽性、尺寸稳定性、磁性及多功能性。

在集成电路、汽车、办公自动化、大功率电子器件、电源设备等领域有应用，发光二极管中应用更为广泛。

金属封装材料可以作为大面积浮动地线使用，可以减少信号间电感、电容及串扰，有电磁屏蔽功能，常用于军事、定制专用气密性封装中。;3.有机基板：与传统PCB比，薄、线路密、对位精度要求高、电气结构复杂。由双面基板向多层化、薄型化和高密度化发展。

分为有机树脂为基材的刚性有机基板及柔性薄膜为介质层的柔性有机基板。

;3.有机基板：

刚性有机基板：以热固性树脂为基材，有无机填料和玻璃纤维为增强材料，首先采用热压成型工艺制成层压板，然后与铜箔复合制成。WB,FC，芯片级封装。WB-BGA，通用芯片封装；FC-BGA，处理器及南北桥芯片；FC-CSP，智能手机处理哭及其它部件（基带、蓝牙等）。

柔性有机基板：以CTE低且平整度高的PI薄膜为介质层，由介质层与铜箔复合制成。BGA、CSP、COF，产品LED/LCD，触控屏、计算机硬盘、光驱连接及功能组件、智能手机、平板电脑，可穿戴设备。

;4.硅/玻璃基板（中介转接层）：基于封装通孔TPV的Interposer，可实现个芯片之间互连和再布线，将芯片IO数减少后再连接到传统基板或PCB上。用于GPU、FPGA、ASIC。基于IC工艺。

分为硅、玻璃及有机体系三类。要求高热导率、低CTE、低介电常数。硅、玻璃转接板应用广泛。

硅中介层优点：可埋电阻及有源器件，可通过掺杂使其起到接地作用，省去金属化，CTE匹配，硅热导率85~135W/(m·K)高，易于金属化。

玻璃中介层优点：绝缘材料，省去绝缘层工艺且高频传输更优、CTE可调、成型性好、可获得更平整更薄基板，可取消背面减薄工艺。;13.2硅/玻璃中介转接层的基本结构及关键工艺;13.2.1TSV关键工艺及材料;13.2.1TSV关键工艺及材料;13.2.1TSV关键工艺及材料;1.深孔刻蚀：侧壁光滑，小孔径，高深宽比。

工艺：湿法刻蚀、激光刻蚀、深反应离子刻蚀（干法刻蚀）。;湿法刻蚀工艺：

采用KOH或TMAH（四甲基氢氧化铵）对硅衬底进行化学腐蚀。

刻蚀温温低，制造成本低，适合批量生产。

刻蚀通孔不是垂直结构且孔径较大，只能用于低输出端数的封装。

激光刻蚀工艺：

依靠光子能量熔融硅而制造通孔，是一种加热熔化的物理过程。

不需要掩模板，工艺简单，在大规模制造中有成本优势。

制造的通孔，内壁粗糙度和热损伤较高，不利于后续绝缘层的扩散阻档层的制造。;DRIE工艺：（高深宽比，各向异性，刻蚀和保护交替进行）

（1）钝化过程，氟化物C4F8在通孔侧壁和底部形成