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我国功率芯片行业政策
并相继出台了各类扶持引导政策。同时功率芯片行业总体上市场化程度较高,相关法律法规、产业政策主要从宏观调控层面起到趋势上的扶持引导作用,对经营资质、准入门槛、运营模式及行业竞争格局等方面未构成重大调整。
功率芯片行业政策
发布时间 发布部门 政策名称 相关内容
2011年6月 国家发展和改革委员会、科学技术部、商务部、国家知识产权局 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2011年度)》 “13、新型元器件”之“高电压的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)”,属于国家优先发展的高技术产业。
2012年1月 国务院 《国务院关于印发工业转型升级规划(2011—2015年)的通知》 结合国家科技重大专项和产业创新发展工程,着力发展集成电路设计业。支持高端微电子器件、光电子器件、绿色电池、功率器件、传感器件等产品及关键设备、材料的研发及产业化,推动传统元器件向智能化、微型化、绿色化方向发展。
2013年2月 国家发展和改革委员会 《产业结构调整指导目录(2011年本)(2013年修正)》 “二十八、信息产业”之“新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造”,属于国家鼓励类产业。
2017年1月 国家发展和改革委员会 《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》 进一步明确电力电子功率器件的地位和范围,包括金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块、快恢复二极管(FRD)、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶闸管(GTO)、集成门极换流晶闸管(IGCT)、中小功率智能模块。
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