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PT诱导层上(100)取向PST薄膜的制备及其高介电可调性研究的开题报告

一、研究背景及意义

随着信息时代的到来，人们对于计算机、通信、空间探测等领域对高性能电器材料的需求日益增长。高介电材料因其在电容储能、射频器件、微波器件、天线、传感器和高密度电子器件中的广泛应用而备受关注。Pb(Zr,Ti)O3(PZT)是一种广泛用于微机电系统、陶瓷电容器、表面声波器件、光控开关等电子器件中的高介电材料。然而，由于PZT的铅含量，其有害性和环保问题日益突出。因此，研究无铅高介电材料具有重要的意义。

PST(Pb(Sc1/2Ta1/2)O3)是一种无铅高性能介电材料，它具有优秀的介电、压电和铁电等性质，是PZT的理想替代品。同时，PST具有较宽的相变温度范围、良好的稳定性和可调性等特点，在电容储能、滤波器与复杂应变场环境下的应用中有广泛的潜力。因此，研究PST薄膜的制备及其高介电可调性对于推动电子器件领域的发展具有重要的意义。

二、研究内容和方法

本文的主要研究内容是PT诱导层上(100)取向PST薄膜的制备及其高介电可调性研究。具体包括以下的研究内容：

1.采用射频磁控溅射法制备(100)取向的PT诱导层。

2.制备PST薄膜并研究其晶体结构和表面形貌。

3.测量PST薄膜的介电性能和可调性能，分析其介电响应机理。

本研究将主要采用以下方法：

1.采用磁控溅射法在PT诱导层上制备PST薄膜。

2.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析。

3.采用变频介电谱仪测量其介电性能和可调性能。

三、预期结果及意义

预计本研究能够成功制备出(100)取向的PT诱导层和PST薄膜，并对其进行表征和分析。研究预计能够获得PST薄膜的介电常数以及极化电场下的可调效应等，深入探究其介电响应机理。同时，本研究的结果能够为无铅高介电材料的研究提供实验依据和参考，推动高性能电子器件在无铅材料中的应用。