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SiCMOSFET-GateDriverCo-Package

LiqiZhang,YangLei

Sept18,2014

OutlineWireBonding(5milAl)TestResults2WireBonder

WireBonding3OPTIMALBOND1TIMEPOWER0.52.5OPTIMALBOND2oncopperTIMEPOWER12OptimalBond2oncopper

WireBonding4OPTIMALBOND1TIMEPOWER0.52.5OPTIMALBOND2onchipTIMEPOWER11OptimalBond2onchip

WireBonding5OptimalBond2onchipPreviousBond2onchip(destroysthechip)

WireBonding6BondingwiresofdifferentLENGTHanddifferentHEIGHT

TestResults76BondingWires

TestResults820A5A10A15A

TestResults9DCCurrent(Ampere)Temperature(DegreeCelsius)532.91041.41567.12080.625solderpastemelt6BondingWiresNeedsolderpasteofhighermeltingpoint

TestResults101BondingWiresABWorksgood@5A.Melt@7A.6wirescouldstand25A,soeachwirecouldstandatleast4.167A.

TestResults115BondingWires5wiresaretested.

TestResults1220A20A5BondingWires

TestResults13DCCurrent(Ampere)Temperature(DegreeCelsius)201092096.930solderpastemelt5BondingWiresNeedsolderpasteofhighermeltingpoint

ConclusionWirebondingisconducted.OptimalTIMEandPOWERforBOND1andBOND2aredetermined.DifferentnumbersofbondedwiresusingoptimalTIMEandPOWERaretestedandanalyzed.14

FutureWorkTestmoduleswithSiCdiodeandSiCMOSFET15

Thankyou16

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