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第1章半导体及半导体二极管
第1章半导体及半导体二极管
第2章双极型晶体管及其基本放大电路
第3章放大电路的频率响应
第4章场效应管及其基本放大电路
第5章功率放大电路
第6章集成运算放大器
第7章放大电路中的反馈
第8章集成运算放大器的应用
第9章信号产生电路
第10章直流稳压电源
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1.1半导体基础
1.2半导体二极管
1.3二极管等效模型及二极管电路分析
1.4稳压二极管
1.5其他特殊二极管
本章内容
1.1.1本征半导体
1.1.2杂质半导体
1.1.3PN结
1.1半导体基础
1.1.1本征半导体
有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)和一些硫化物、氧化物等。
(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。
热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强
半导体的导电特性
光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化
(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。
掺杂性:在纯净的半导体中,掺入适量的杂质,会使半导体的导电能力有成百万倍的增长,使半导体获得了强大的生命力。
半导体的导电特性
人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,人为地、精确地控制半导体的导电能力,将其制造成各种性质、用途的半导体器件(如二极管和三极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等)。
1.1.1本征半导体
本征半导体(IntrinsicMaterials)
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价键结构
共价键
共价键中的两个电子,称为价电子(valenceelectrons)
1.1.1本征半导体
本征半导体(IntrinsicMaterials)
在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,这种现象称为复合。而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的运动。
本征激发和复合过程在一定温度下会达到动态平衡
1.1.1本征半导体
1.1.2杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。
多余电子
磷原子
掺杂五价元素后,自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。
多数载流子(多子):自由电子
少数载流子(少子):空穴
掺入五价元素
1.1.2杂质半导体
硼原子
空穴
掺入三价元素
空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体。
多子:空穴
少子:自由电子
1.1.2杂质半导体
1.1.3PN结
PN结:P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层
多子的扩散运动
少子的漂移运动
浓度差
P型半导体
N型半导体
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区的厚度固定不变。
空间电荷区
别名:耗尽层、空间电荷区、势垒区等。
(1)PN结加正向电压(正向偏置)
P接正、N接负
IF
多子在外电场作用下定向移动形成较大的正向电流。
PN结加正向电压时:
正向电阻较小,处于导通状态
PN结的单向导电性
1.1.3PN结
PN结的单向导电性
(2)PN结加反向电压(反向偏置)
P接负、N接正
少子在外电场作用下定向移动,形成很小的反向电流。
PN结加反向电压时:
反向电阻较大,处于截止状态。
温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。
IR
1.1.3PN结
1.势垒电容Cb
PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,犹如电容的充放电,其等效电容称为势垒电容Cb。
PN结的电容效应
PN结外加的正向电压变化时,在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
2.扩散电容
1.1.3PN结
1.2半导体二极管
1.2.1二极管的结构和分类
1.2.2二极管的伏安特性和电流方程
1.2.3二极管的主要参数
1.2.1二极管的结构和分类
小功率
二极管
大功率
二极管
稳压
二极管
发光
二极管
将PN结加上相应的电极引线和管壳——二极管
1.2.2二极管的伏安特性和电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
非线性
1.2.2二极管的伏安特性和电流方程
死区
当外加正向电压很低时,正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区。
导通区
导通压降Uon
(1)正向特性
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