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第1章半导体及半导体二极管

第1章半导体及半导体二极管

第2章双极型晶体管及其基本放大电路

第3章放大电路的频率响应

第4章场效应管及其基本放大电路

第5章功率放大电路

第6章集成运算放大器

第7章放大电路中的反馈

第8章集成运算放大器的应用

第9章信号产生电路

第10章直流稳压电源

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1.1半导体基础

1.2半导体二极管

1.3二极管等效模型及二极管电路分析

1.4稳压二极管

1.5其他特殊二极管

本章内容

1.1.1本征半导体

1.1.2杂质半导体

1.1.3PN结

1.1半导体基础

1.1.1本征半导体

有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）和一些硫化物、氧化物等。

(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。

热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

半导体的导电特性

光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化

(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。

掺杂性：在纯净的半导体中，掺入适量的杂质，会使半导体的导电能力有成百万倍的增长，使半导体获得了强大的生命力。

半导体的导电特性

人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地、精确地控制半导体的导电能力，将其制造成各种性质、用途的半导体器件（如二极管和三极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等）。

1.1.1本征半导体

本征半导体（IntrinsicMaterials）

完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。

晶体中原子的排列方式

硅单晶中的共价键结构

共价键

共价键中的两个电子，称为价电子（valenceelectrons）

1.1.1本征半导体

本征半导体（IntrinsicMaterials）

在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，这种现象称为复合。而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动。

本征激发和复合过程在一定温度下会达到动态平衡

1.1.1本征半导体

1.1.2杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。

多余电子

磷原子

掺杂五价元素后，自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。

多数载流子（多子）：自由电子

少数载流子（少子）：空穴

掺入五价元素

1.1.2杂质半导体

硼原子

空穴

掺入三价元素

空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。

多子：空穴

少子：自由电子

1.1.2杂质半导体

1.1.3PN结

PN结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层

多子的扩散运动

少子的漂移运动

浓度差

P型半导体

N型半导体

扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。

空间电荷区

别名：耗尽层、空间电荷区、势垒区等。

（1）PN结加正向电压（正向偏置）

P接正、N接负

IF

多子在外电场作用下定向移动形成较大的正向电流。

PN结加正向电压时：

正向电阻较小，处于导通状态

PN结的单向导电性

1.1.3PN结

PN结的单向导电性

（2）PN结加反向电压（反向偏置）

P接负、N接正

少子在外电场作用下定向移动，形成很小的反向电流。

PN结加反向电压时：

反向电阻较大，处于截止状态。

温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。

IR

1.1.3PN结

1.势垒电容Cb

PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，犹如电容的充放电，其等效电容称为势垒电容Cb。

PN结的电容效应

PN结外加的正向电压变化时，在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。

2.扩散电容

1.1.3PN结

1.2半导体二极管

1.2.1二极管的结构和分类

1.2.2二极管的伏安特性和电流方程

1.2.3二极管的主要参数

1.2.1二极管的结构和分类

小功率

二极管

大功率

二极管

稳压

二极管

发光

二极管

将PN结加上相应的电极引线和管壳——二极管

1.2.2二极管的伏安特性和电流方程

二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

非线性

1.2.2二极管的伏安特性和电流方程

死区

当外加正向电压很低时，正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区。

导通区

导通压降Uon

（1）正向特性