第三章-门电路.ppt

输入特性在正常的输入信号范围内，即–0.7VVI(VDD+0.7)V时输入电流iI=0。因为CMOS门电路的GS间有一层绝缘的SiO2薄层。在–0.7V～(VDD+0.7)V以外的区域，iI从零开始增大，并随vI增加急剧上升，原因是保护电路中的二极管已进入导通状态。低电平输出特性高电平输出特性*本节课的内容依赖于半导体材料的性质＆pn结的特性2006年初，Intel开始以65纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，2007年11月45nm*MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变，相当于一个水龙头。

*单位面积的栅氧化层电容Cox=e0×eox/tox能带的弯曲量是MOS电容的电压函数，MOSFET工作依赖的反型层电荷是能带弯曲的函数。*耗尽时电场排斥硅层表面的空穴，剩下带负电的杂质离子；反型层中的电子来自空间电荷区中晶格热振动产生的电子空穴对，电子空穴对的产生率与少数载流子的寿命有关。MOSFET概念金属－氧化物－半导体场效应晶体管Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor四端器件：G：栅(Gate)，控制沟道中的电荷量S：源(Source)，重掺杂、与电极形成欧姆接触D：漏(Drain)，重掺杂、与电极形成欧姆接触B：衬底(Bulk)几何参数：W,L,tOX场效应晶体管：电压控制型的器件。在栅极上施加电压时，在栅电场的作用下，半导体－氧化物界面下边的半导体中感生出可动电荷，可动载流子在源和漏之间提供一导电沟道。沟道中的可动载流子受栅电场电容耦合的控制。栅电极：绝缘层上的金属接触叫做栅极，重掺杂的多晶硅也可以作为栅电极。pMOSFET:p型沟道，n型衬底，器件靠空穴导电。nMOSFET:n型沟道，p型衬底，器件靠电子导电。基本用途：以栅极电压为输入、以漏源电流为输出的电压输入、电流输出的电压控制型放大器和开关MOSFET的结构施加栅压，氧化物－半导体界面处的能带发生弯曲核心：MOS电容，氧化层扮演电容器绝缘体的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极与衬底则成为MOS电容的两个端点。结构：MOS电容＋栅极两侧的两个背靠背的pn结。以nMOSFET为例单位面积的栅氧化层电容：MOSFET的工作原理栅极上没有外加电压时，n+源区和n+漏区之间被两个背靠背的pn结隔离。如果此时在源漏之间加上一个电压VDS,源和漏之间只有一个很小的反向泄漏电流。在栅和衬底之间加上电压，就会产生垂直于Si-SiO2界面的电场，在界面的半导体一侧，就会产生空间电荷。如果这个电压足够大，两个n+区之间形成表面反型层（沟道），源和漏导通，电流从漏流向源。NMOS管和PMOS管的通断条件NMOS当VGS＞VTN时导通当VGS＜VTN时截止PMOS当∣VGS∣＞VTP时导通当∣VGS∣＜VTP时截止类

型二、输入特性和输出特性输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。输出特性： iD=f(VDS)对应不同的VGS下得一族曲线。漏极特性曲线（分三个区域）截止区恒流区可变电阻区漏极特性曲线（分三个区域）截止区：VGSVGS(th)，iD=0,ROFF109Ω漏极特性曲线（分三个区域）恒流区：iD基本上由VGS决定，与VDS关系不大转移特性曲线漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS较低（近似为0），VGS一定时，这个电阻受VGS控制、可变。可变电阻区三、MOS管的基本开关电路四、等效电路OFF，截止状态ON，导通状态栅极输入电容五、MOS管的四种类型增强型耗尽型大量正离子导电沟道由零栅压时的电流和阈值电压区分3.3.2CMOS反相器的电路结构和工作原理一、电路结构PMOS管NMOS管CMOS电路柵极相连做输入端漏极相连做输出端工作原理CMOS反相器UIL=0V截止导通UOH≈VDD当uI=UIL=0V时，VTN截止，VTP导通，uO=UOH≈VDDCMOS反相器UIH=VDD截止UOL≈0V当uI=