SJ∕T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52030-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.3—2015

代替SJ/T2658.3—1986

半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part3:Reversevoltageandreversecurrent

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T2658.3—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则：

第2部分：正向电压；

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：——SJ/T2658.3—1986。

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SJ/T2658.3—2015

半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

GB/T15651-1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

反向电压reversevoltage

VR

通过器件的反向电流为规定值时，其两极间产生的电压降。

4一般要求

测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。

5反向电压的测量

5.1测量原理图

反向电压的测量原理图见图1。

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SJ/T2658.3—2015

说明：

DUT——被测器件；G稳压源；A电流表；V电压表。

图1反向电压测量原理图

5.2测量步骤

反向电压的测量按下列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，并进行仪器预热；

b)调节稳压源，使反向电流/为规定值，读取直流电压表的示数后得到被测器件的反向电压值。

5.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境温度；

b)反向电流I。

6反向电流的测量

6.1测量原理图

反向电流的测量原理图见图2。

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SJ/T2658.3—2015

说明：

DUT——被测器件；G稳压源：

A电流表；V电压表。

图2反向电流测量原理图

6.2测量步骤

反向电流的测量按下列步骤进行：

a)按图2连接测量系统，并进行仪器预热；

b)调节稳压源，使反向电压Vr为规定值，读取直流电流表的示数后得到被测器件的反向电流值。

6.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境温度：

b)反向电压VR。

SJT

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