SJ∕T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52039-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.12—2015

代替SJ/T2658.12—1986

半导体红外发射二极管测量方法

第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode

—Part12:Peak-emissionwavelengthandspectralradiantbandwidth

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.12—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

第3部分：反向电压和反向电流：——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；———第6部分：辐射功率 ———第7部分：辐射通量；—第8部分：辐射强度

—第9部分：辐射强度空间分布和半强度角；

——第10部分调制带宽——第11部分：响应时间

——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽；——第13部分：辐射功率温度系数

———第14部分：结温；—第15部分：热阻；

——第16部分光电转换效率

本部分为SJ/T2658的第12部分。

本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SJ/t2658.12—1986《半导体红外发光二极管测试方法峰值波长和光谱半宽度的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：

——修改了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图(见图)——细化了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量步骤(见5.2)

——补充了峰值发射波长和光谱辐射带宽测量方法的规定条件(见5.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：——SJ/T2658.12—1986。

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SJ/T2658.12—2015

半导体红外发射二极管测量方法

第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.华导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

峰值发射波长peak-emissionwavelength

在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率所对应的波长。

3.2

光谱辐射带宽spectralradiantbandwidth

在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率的规定百分比所对应的两个波长之差。

4一般要求

测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1方法I——单色仪法

5.1.1测量原理图

采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图见图1。

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SJ/T2658.12—2015

Ip

D?D?D?

十

MRM

G

DUT

A

L

说明：

DUT-—被测器件；

L———聚焦透镜系统；

G—电流源；A———电流表；

D?,D?——消除杂散光光阑；M单色仪b;

RM——包括光阑D?的辐射探测系统。

注：若存在器件光谱特性空间分布不均匀，导致测量重复性差，可采用被测器件置于积分球内的形式。应尽量减少反射入被测器件内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量准确度。

b单色仪的波长分辨率和带宽应能保证足够的测试准确度；如果单色仪的光谱透过率和辐射探测系统的光谱响应度在要求的波长范围内不是常数，则应修正记录的测量