SJ_T 11851-2022 半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范.docxVIP

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中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11851—2022

半导体分立器件

S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorpairofS3DK5794

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T11851—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口。

本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所。

1

SJ/T11851—2022

半导体分立器件

S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范

1范围

本文件规定了S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管(以下简称器件)的详细要求。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文唱的规范性引月而构成本文件必不面少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23-2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T468199平导体分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

GB/T4589-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规他

GB/I4937-995平导体器件机械和气候试验方法

GBT93y.1A-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固度)

GBf4937.5-2018半导体器件一机械和气候试验方法第15部分：通安装器件的耐焊接

热

GBT.21-2018导体器件机械和乍候试验方法第21部分：可辉性

GBTG81-987半导体分立器件外形尺寸

GB/N半导体器件分立器件分规范

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4要求

4.1总则

器件应符合本文件的所有规定。

质量评定类别符合GB/T4589.1—2006和GB/T12560—1999的规定。质量评定类别为Ⅱ类。

4.2设计、结构和外形尺寸

4.2.1器件设计、结构

芯片采用硅外延平面结构，将两个独立工作的芯片封装在同一管壳，并实现电性能的独立，封装采用金属气密式封装。

4.2.2外形尺寸

2

SJ/T11851—2022

外形采用T0-78型的要求。外形图见图1,外形尺寸见表1。

1:集电极，2:基极，3:发射极，4:发射极，5:基极，

6:集电极

图1外形图表1外形尺寸

单位为毫米

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

3.81

4.70

Φa

5.08

Φb

0.41

0.53

ΦD

8.51

9.60

ΦD?

7.75

8.51

j

0.71

—

0.86

K

0.74

1.14

L

12.70

25.00

L?

1.27

4.3最大额定值和电特性

4.3.1最大额定值

最大额定值见表2。除非另有规定，Ta=25℃。

3

SJ/T11851—2022

表2最大额定值

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

工作环境温度

T

-55

125

℃

贮存温度

Tag

-65

200

℃

最大集电极-基极直流电压

VCBO

75

V

最大集电极-发射极直流电压

VCEO

40

V

最大发射极-基极直流电压

VEBo

6

V

最大集电极直流电流

IcM

600

mA

最大总耗散功率

Pot(单芯片“)

Pot(双芯片)

500

600

mWmW

最高结温

TM

200

℃

结-环境热阻

Rth(单芯片(效芯片

350

290

℃/W℃/W

注：未单独标明时，为单个心片指标

‘指单个芯片工作时的技术指标要求。指双芯片工作时的技术指标要求。