SJ_T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法.docxVIP

ICS29.045H83

备案号：50544-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11487—2015

半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

Non-contactmeasurementmethodfortheresistivityofsemi-insulatingsemiconductorwafer

2015-04-30发布2015-10-01实施

中华人民共和国工业和信息化部

发布

I

SJ/T11487—2015

前言

本标准按照GB/T1.1—2009制定的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。

本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、

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SJ/T11487—2015

半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法

1范围

本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法。

为10?Q-cm

为10?Q-cm1012Q-cm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法原理

非接触式电阻率测试源自电容充放电原理，如图1所示。电阻率R?与电容充放电弛豫时间t成正比，根据电量变化的弛豫曲线可确弛豫时间t,并最终计算得到电阻率Rs。

t=R,(C,+C,)

t=R,(C,+C,)

图1非接触式电阻率测量原理图

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SJ/T11487—2015

5干扰因素

测量时应注意以下干扰因素：

a)样品厚度均匀性和有效测量面积的变化对测量结果产生影响，测量试样厚度应均匀，其面积应大于探头面积。

b)测量温度等均会对测量结果产生影响，应注意保持测试环境和试样温度在22℃~24℃范围。

6测量装置

测量装置由下列部分组成：

b)千分尺，精度±001mm7环境要求8

b)千分尺，精度±001mm

7环境要求

8样品制备

9测试步骤

9.1校准

9.2测量

10计算

p=t(ce?)-………(1)

式中：

8测试材料的相对介电常数；Eo介电常数；

T时间常数，s。

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11精密度

在同一实验室，按照本标准，对电阻率为4×10?Q-cm的碳化硅样品进行10次重复性测量，相对标准偏差(RSD)为2%。

12报告

报告应包括如下内容：

a)样品来源：

b)样品编号、名称、规格；

c)样品厚度；

d)有效测量面积：

e)测量环境：

f)测量仪器型号：

g)测量结果；

h)测试者姓名、测试单位、测试日期。