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ICS31.080L53
备案号:52040-2015
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T2658.13—2015
代替SJ/T2658.13—1986
半导体红外发射二极管测量方法第13部分:辐射功率温度系数
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part13:Temperaturecoefficientforradiantpower
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T2658.13—2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分:——第1部分:总则;
——第2部分:正向电压;
——第3部分:反向电压和反向电流;——第4部分:总电容;
——第5部分:串联电阻;——第6部分:辐射功率——第7部分:辐射通量;——第8部分:辐射强度;
——第9部分:辐射强度空间分布和半强度角;
——第10部分调制带宽—第11部分:响应时间
——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽;——第13部分:辐射功率温度系数
——第14部分:结温; ——第15部分:热阻;
——第16部分;光电转换效率。
本部分为SJ/T2658的第13部分。
本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草
本部分代替SJN2638.13—1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率温度系数的测量方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下:
——修改了辐射功率温度系数的定义(见3.1);
——修改了辐射功率温度系数的测量原理图(见图1);
——细化了辐射功率温度系数的测量步骤(见5.2);
——补充了辐射功率温度系数测量方法的规定条件(见5.3)
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人:张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:—SJ/T2658.13—1986。
1
SJ/T2658.13—2015
半导体红外发射二极管测量方法第13部分:辐射功率温度系数
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则
SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
辐射功率温度系数temperaturecoefficientforradiantpower
在规定的正向工作电流和温度范围内,器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。辐射功率温度系数按公式(1)计算:
ae=△Pe/△T………………(1)
式中:
ae——辐射功率温度系数,单位为毫瓦每摄氏度或微瓦每摄氏度(mW/℃或μW/℃);
△Pe-——辐射功率的变化量,单位为毫瓦或微瓦(mW或μW);△T环境温度的变化量,单位为摄氏度(℃)。
4一般要求
测量辐射功率温度系数的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图
辐射功率温度系数的测量原理图见图1。
2
SJ/T2658.13—2015
说明:
DUT——被测器件;G?——电流源;
G?—温度控制电源;A——电流表;
TCS控温装置
注:被测器件发时的光辐射经积分球壁多次反射,在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光,探测系统的探测头位于
积分球内壁测量光辐射;遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射;
·被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比,表面积应该小很多;球内壁和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数(不小于08)的漫反射镀层;球和探测器组合应该校准,应该考虑到辐射功率由于功率消耗产生的变化。
b控温装置的准确度应优手±1Q
图
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