SJ∕T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数.docxVIP

SJ∕T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

ICS31.080L53

备案号:52040-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.13—2015

代替SJ/T2658.13—1986

半导体红外发射二极管测量方法第13部分:辐射功率温度系数

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part13:Temperaturecoefficientforradiantpower

2015-10-10发布2016-04-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.13—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分:——第1部分:总则;

——第2部分:正向电压;

——第3部分:反向电压和反向电流;——第4部分:总电容;

——第5部分:串联电阻;——第6部分:辐射功率——第7部分:辐射通量;——第8部分:辐射强度;

——第9部分:辐射强度空间分布和半强度角;

——第10部分调制带宽—第11部分:响应时间

——第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽;——第13部分:辐射功率温度系数

——第14部分:结温; ——第15部分:热阻;

——第16部分;光电转换效率。

本部分为SJ/T2658的第13部分。

本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草

本部分代替SJN2638.13—1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率温度系数的测量方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下:

——修改了辐射功率温度系数的定义(见3.1);

——修改了辐射功率温度系数的测量原理图(见图1);

——细化了辐射功率温度系数的测量步骤(见5.2);

——补充了辐射功率温度系数测量方法的规定条件(见5.3)

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人:张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为:—SJ/T2658.13—1986。

1

SJ/T2658.13—2015

半导体红外发射二极管测量方法第13部分:辐射功率温度系数

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则

SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分:辐射功率3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

辐射功率温度系数temperaturecoefficientforradiantpower

在规定的正向工作电流和温度范围内,器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。辐射功率温度系数按公式(1)计算:

ae=△Pe/△T………………(1)

式中:

ae——辐射功率温度系数,单位为毫瓦每摄氏度或微瓦每摄氏度(mW/℃或μW/℃);

△Pe-——辐射功率的变化量,单位为毫瓦或微瓦(mW或μW);△T环境温度的变化量,单位为摄氏度(℃)。

4一般要求

测量辐射功率温度系数的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

辐射功率温度系数的测量原理图见图1。

2

SJ/T2658.13—2015

说明:

DUT——被测器件;G?——电流源;

G?—温度控制电源;A——电流表;

TCS控温装置

注:被测器件发时的光辐射经积分球壁多次反射,在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光,探测系统的探测头位于

积分球内壁测量光辐射;遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射;

·被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比,表面积应该小很多;球内壁和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数(不小于08)的漫反射镀层;球和探测器组合应该校准,应该考虑到辐射功率由于功率消耗产生的变化。

b控温装置的准确度应优手±1Q

您可能关注的文档

文档评论(0)

馒头 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6230041031000032

1亿VIP精品文档

相关文档