SJ∕T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docxVIP

ICS31.080.30

L42

备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T1833—2016

代替SJ1833-1981

半导体分立器件

3DK103型NPN硅小功率开关晶体管

详细规范

Semiconductordiscretedevices

DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor

type3DK103

2016-04-05发布2016-09-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T1833—2016

前言

本规范按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本规范代替SJ/T1833—1981。与SJ/T1833—1981相比，本规范主要技术变化如下：——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。

II

SJ/T1833—2016

引言

本规范适用于3DK103型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。

1

SJ/T1833—2016

半导体分立器件3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

中华人民共和国工业和信息化部

评定器件质量的根据：

GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：

分立器件和集成电路总规范》

GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》

SJ/T1833—2016

半导体分立器件3DK103型NPN硅少功率开关督详细规范

1外形尺寸

外形符合GB/T7581-1087《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的规定。

D2

Φa

FX

45

0M

2D

Φb

1.发射极2.基极3.集电极

单位为毫米

2简略说明

开关用双极型晶体管半导体材料：徒

封装：金属封装(空腔

应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。

3质量评定类别

IⅡ类

参考数据=25℃)

P300

Ic=50mA

VCBo=20V(3DK103A

VCBo=40V(3DK103B)VCBo=60V(3DK103C)VCEo=15V(3DK103A)Vero-30V(3DK103B

CEo=45区(3DK103C)

ERo=4V

≥200MH

hFE:25～180

符号

尺寸数值

最小

标称

最大

A

4.32

5.33

Φa

——

2.54

—

Φb

1.01

φb?

0.40

0.51

ΦD

5.31

5.84

ΦD

4.53

—

4.95

j

0.92

1.04

1.16

K

0.51

1.21

L

12.5

—

25.0

L

1.27

2

SJ/T1833—2016

4规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封

GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937—1995

半导体器件机械和气候试验方法

GB/T6218—1996

开关用双极型晶体管空白详细规范

GB/T7581—1987

半导体分立器件外形尺寸

GB/T12560-—1999半导体器件分立器件分规范

5极限值(绝对最大额定值)

极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。

表1极限值

章条号

参数

符号

数值

单位

最小值

最大值

4.1

工作环境温度

Tm

-55

125

℃

4.2

贮存温度

Tatg

-55

175

℃

4.3

最大集电极一基极直流电压

3DK103A3DK103B3DK103C

VBo

—

—

20

40

60

V

4.4

最大集电极—发射极直流电压

3DK103A3DK103B3DK103C

VcEo

15

30

45

V

4.5

最大发射极—基极直流电压

VBo

4

V

4.6

最大直流集电极电流

Ia

50

mA

4.9

T=25℃,不加散热片时的最大额定功率

Pot

一一

300

mW

4.