集成光电子器件及设计 - 光检测器.pptxVIP

集成光电子器件及设计 - 光检测器.pptx

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光检测器

4.1光检测器

4.2光检测器的分类

4.3PIN光电二极管

4.4雪崩光电二极管(APD)

4.5MSM光检测器

4.6光检测器的可靠性和注意事项

4.1光检测器

作为光纤通信系统中重要的光电转换器件,对检测器的

要求有:

高的光电转换效率,即具有高的量子效率,即一定的

入射光信号功率条件下,检测器能输出较大的光电流,

光电流与光功率成正比。

高的灵敏度也称响应度,它是光电探测器光电转换特

性的量度,即对于使用波长的光波,具有较高的灵敏

度(对微弱的光信号脉冲能快速响应)。

检测过程中带来的附加噪声尽可能小。

有足够的带宽,即检测器输出的电信号能不失真地反

映出接收的光信号。

稳定、可靠、价格便宜。

4.1.1工作原理

光检测过程的工作原理主要是基于光辐射与材料

相互作用所产生的光电效应来实现的。

光电效应:光照射到半导体的P-N结上,若光子能

量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子

的能量,从价带越过禁带到达导带,在导带中出

现光电子,在价带中出现光空穴,即光电子-空穴

对。总起来称作光生载流子。

负偏压(P接负,N

接正)和内建电场

的作用下,在外电

路中出现光电流,

如图4-1-1所示,从

而在电阻R上有信号

电压输出。这样就

实现了输出电压跟

随输入光信号变化

的光电转换作用。

P

N

图4-1-1半导体材料的光电效应

外加电场方向

内建电场方向

P

N

耗尽层

R

电子

空穴

导带底

价带顶

禁带

耗尽层

图4-1-2P-N结及其附近的能带分布图

4.1.1工作原理

•光生载流子在外加

4.1.1工作原理

当光照射在某种半导体材料制成的半导体光电二极管上

时,若要有光电子-空穴对产生,必须满足如下的关系

hEg

或者写为

(4.1.1)

h

其中,为光子的能量,Eg为半导体光电材料的禁带宽度。

Eg

h

hc

Eg

c

c

截止频率

截止波长

(4.1.2)

(4.1.3)

1

2

3

4

4.1.2主要工作特性

响应度

量子效率

响应时间

暗电流

R0或

0

Ip

P

1.响应度

R0

2.量子效率

0

Ip/e

P/h





通过结区的光生载流子数(光生电子-空穴对数)

入射到器件上的光子数

0

e

P

h

量子效率与响应度的关系:

h

e

e

h

R0



1.24

R0

将频率转换成波长,并带

入普朗克常数及光在真空

中的速度

4.1.2主要工作特性

光电检测器的平均输出电流

(A/W)

入射的平均光功率

Ip

4.1.2主要工作特性

由以上的推导可见,在工作波长一定时,响应度与量

子效率有定量的关系。

响应度和量子效率都是描述器件光电转换能力的物理

量,但是他们分析的角度不同。响应度是在外部电路

中呈现的宏观灵敏特性,而量子效率是器件在内部呈

现的微观灵敏特性。

提高量子效率的方法有:

•减小入射表面反射率;尽量减小光子在表面层被吸收

的可能性;

•增加耗尽层宽度,使光子在耗尽层被充分吸收。如果

采用PIN结构,P+和N+很薄,低掺杂I区很厚,可充分

在耗尽层被吸收。而耗尽层厚,光生载流子漂移到加

有反偏压的P-N结两端的所需时间越长,漂移时间决

定P-N结响应速率。因此必须折衷。

4.1.2主要工作特性

3.响应时间

——半导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快

慢的状态。

影响响应时间的因素主要有

(1)从光入射光敏面到发生受激吸收的时间;

(2)零场区光生载流子的扩散时间;

(3)有场区光生载流子的漂移时间;

(4)雪崩倍增建立时间(仅对于APD);

(5)RC时间常数。

4.暗电流Id

在理想情况下,当没有光照射时,光电检测器应无光电流输出。

但是实际上由于热激励、宇宙射线后放射性物质的激励,在无光

的情况下,光电检测器仍有电流输出,这种电流称为暗电流。

严格的说,暗电流还包括器件表面的漏电流。暗电流由体内暗

电流和表面暗电流组成。器件的暗电流越小越好。

4.2光检测器的分类

依材料分类:

直接带隙半导体材料还是间接带隙半导体材料。广为应用的探测器

材料有IV族、III-V族等半导体,而异质结材料能够提供透明的窗口、

完全的光学限制和优异的导波特性。

依波段分类:

紫外光波段、可见光波段、红外波段、远红外波段等。紫外光波段

有SiC、GaN等探测器,可见光波段有Si、InGaN等探测器,红外波段

有Ge

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