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光检测器
4.1光检测器
4.2光检测器的分类
4.3PIN光电二极管
4.4雪崩光电二极管(APD)
4.5MSM光检测器
4.6光检测器的可靠性和注意事项
4.1光检测器
作为光纤通信系统中重要的光电转换器件,对检测器的
要求有:
高的光电转换效率,即具有高的量子效率,即一定的
入射光信号功率条件下,检测器能输出较大的光电流,
光电流与光功率成正比。
高的灵敏度也称响应度,它是光电探测器光电转换特
性的量度,即对于使用波长的光波,具有较高的灵敏
度(对微弱的光信号脉冲能快速响应)。
检测过程中带来的附加噪声尽可能小。
有足够的带宽,即检测器输出的电信号能不失真地反
映出接收的光信号。
稳定、可靠、价格便宜。
4.1.1工作原理
光检测过程的工作原理主要是基于光辐射与材料
相互作用所产生的光电效应来实现的。
光电效应:光照射到半导体的P-N结上,若光子能
量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子
的能量,从价带越过禁带到达导带,在导带中出
现光电子,在价带中出现光空穴,即光电子-空穴
对。总起来称作光生载流子。
负偏压(P接负,N
接正)和内建电场
的作用下,在外电
路中出现光电流,
如图4-1-1所示,从
而在电阻R上有信号
电压输出。这样就
实现了输出电压跟
随输入光信号变化
的光电转换作用。
P
N
图4-1-1半导体材料的光电效应
外加电场方向
内建电场方向
P
N
耗尽层
R
电子
空穴
导带底
价带顶
禁带
耗尽层
图4-1-2P-N结及其附近的能带分布图
4.1.1工作原理
•光生载流子在外加
4.1.1工作原理
当光照射在某种半导体材料制成的半导体光电二极管上
时,若要有光电子-空穴对产生,必须满足如下的关系
hEg
或者写为
(4.1.1)
h
其中,为光子的能量,Eg为半导体光电材料的禁带宽度。
Eg
h
hc
Eg
c
c
截止频率
截止波长
(4.1.2)
(4.1.3)
1
2
3
4
4.1.2主要工作特性
响应度
量子效率
响应时间
暗电流
R0或
0
Ip
P
1.响应度
R0
2.量子效率
0
Ip/e
P/h
通过结区的光生载流子数(光生电子-空穴对数)
入射到器件上的光子数
0
e
P
h
量子效率与响应度的关系:
h
e
e
h
R0
1.24
R0
将频率转换成波长,并带
入普朗克常数及光在真空
中的速度
4.1.2主要工作特性
光电检测器的平均输出电流
(A/W)
入射的平均光功率
Ip
4.1.2主要工作特性
由以上的推导可见,在工作波长一定时,响应度与量
子效率有定量的关系。
响应度和量子效率都是描述器件光电转换能力的物理
量,但是他们分析的角度不同。响应度是在外部电路
中呈现的宏观灵敏特性,而量子效率是器件在内部呈
现的微观灵敏特性。
提高量子效率的方法有:
•减小入射表面反射率;尽量减小光子在表面层被吸收
的可能性;
•增加耗尽层宽度,使光子在耗尽层被充分吸收。如果
采用PIN结构,P+和N+很薄,低掺杂I区很厚,可充分
在耗尽层被吸收。而耗尽层厚,光生载流子漂移到加
有反偏压的P-N结两端的所需时间越长,漂移时间决
定P-N结响应速率。因此必须折衷。
4.1.2主要工作特性
3.响应时间
——半导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快
慢的状态。
影响响应时间的因素主要有
(1)从光入射光敏面到发生受激吸收的时间;
(2)零场区光生载流子的扩散时间;
(3)有场区光生载流子的漂移时间;
(4)雪崩倍增建立时间(仅对于APD);
(5)RC时间常数。
4.暗电流Id
在理想情况下,当没有光照射时,光电检测器应无光电流输出。
但是实际上由于热激励、宇宙射线后放射性物质的激励,在无光
的情况下,光电检测器仍有电流输出,这种电流称为暗电流。
严格的说,暗电流还包括器件表面的漏电流。暗电流由体内暗
电流和表面暗电流组成。器件的暗电流越小越好。
•
•
•
•
4.2光检测器的分类
依材料分类:
直接带隙半导体材料还是间接带隙半导体材料。广为应用的探测器
材料有IV族、III-V族等半导体,而异质结材料能够提供透明的窗口、
完全的光学限制和优异的导波特性。
依波段分类:
紫外光波段、可见光波段、红外波段、远红外波段等。紫外光波段
有SiC、GaN等探测器,可见光波段有Si、InGaN等探测器,红外波段
有Ge
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