4半导体管和电子管 (1)讲解.ppt

4半导体管和电子管1、“绘图”工具栏“直线”按钮，画一条始于（100，100），长度为150的直线段2、利用“绘图”工具栏“多线段”按钮，绘制二极管上半部分命令:_pline指定起点:200,120（指定多线段起点在直线段的左上方，绝对坐标（200，100））当前线宽为0.0000（回车默认系统线宽）指定下一个点或[圆弧(A)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:_per到（按Shift键右击鼠标，捕捉点（200，120）到直线段的垂足）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:@40150（极坐标输入法：斜线长度为40，与x轴正方向成150°角）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:_per到（按Shift右击鼠标，捕捉垂足）1二极管效果如图所示：

3、利用“镜像”命令生成下半部分4、动画演示2三极管思考：箭头怎么画？2三极管1、三次调用“直线”命令，绘制隔层、基级、集电极。位置参数如图：2三极管2、利用“多线段”绘制PNP三极管发射极。其命令行提示如下：命令:_pline指定起点:130,100当前线宽为0.0000指定下一个点或[圆弧(A)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:@20120(画发射极根部小段直线，长20，与x轴正方向成120°角)指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:w指定起点宽度0.0000:指定端点宽度0.0000:1.5（修改线宽，起始线宽采用默认值，结束线宽为1.5）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:@10120（绘制箭头，长10，与x轴正方向成120°角）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:w指定起点宽度1.5000:0指定端点宽度0.0000:（把线宽改成缺省值）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:@30120（绘制发射极头部小段直线）指定下一点或[圆弧(A)/闭合(C)/半宽(H)/长度(L)/放弃(U)/宽度(W)]:（回车，完成绘图）2三极管3动画演示思考，NPN型如何画？3小结和引申本节通过对二极管，三极管符号的绘制，介绍了调用多线段等绘图命令，同时也复习了直线绘图命令和镜像修改命令。由二极管和三极管符号稍加修改和变化就可以得到发光二极管和光敏三极管。