硅集成电路复习提纲(最终版).pdfVIP

集成电路工艺基础复习

绪论

1、Moorelaw：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

2、特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

3、提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备硅片：答：区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。目前8英寸以上的硅片，经常选择选择CZ法制备，

因为晶圆直径大。

4、MOS器件中常使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？答：MOS器件：100Si/SiO2界面态密度低；双极器件：111的原子密度大，生长速度快，成

本低。

氧化

1、sio2的特性二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好

2、sio2的结构，分为结晶形与不定形二氧化硅

3、什么是桥键氧和非桥键氧连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧。

4、在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o

键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。

5、热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成

sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio2

6、Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应

7、杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响

能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。

8、水汽对sio2网络的影响水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和

疏松，使杂志的扩散能力增强。

9、为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？

10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。

11、热生长sio2的特点：硅的热氧化法是指硅与氧气或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成sio2

【热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2；淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，

从而在硅片表面形成一层薄膜。】

12、生长一个单位厚度的sio2需要消耗0.44个单位的si

14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的sio2层？采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式

15、由公式2.24，2.25分析两种极限情况，给出解释其一是当氧化剂在sio2中的扩散系数D很小时（D《kx，则的C→0，C→C*，在这种情况下，

sio2sio2s0i0

sio的生长速率主要由氧化剂在sio中的扩散速度所决定，称这种极限情况为扩散控制；其二，如果扩散系数D很大，则C=C=C*/（1+k/h），sio2生长速

22sio210s

率由si表面的化学反应速度控制，称这种极限情况为反应控制。

17、sio2生长厚度与时间的关系，分别解释x02+Ax0=B（t+τ），当氧化时间很长，即t》τ和t》A2/4B时，则x02=B（t+τ），这种情况下的氧化规律称抛物型规

律，B为抛物型速率常数，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散快慢决定；当氧化时间很短，即（t+τ）《A2/4B，则x0=B（t+τ）/A，这种极限情况下

的氧化规律称线性规律，B/A为线性速率常数，具体表达式B/A=-khc*/(k+h)N。