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集成电路工艺光刻;光刻
;光刻
;光刻根本介绍;光刻三要素;光刻工艺流程;1、气相成底膜;2、旋转涂胶;2、旋转涂胶;2、旋转涂胶;2、旋转涂胶;2、旋转涂胶;3、前烘;4、对准和曝光;5、曝光后烘培;6、显影;7、坚膜烘焙;8、显影检查;光刻
;光刻胶
;光刻胶的组成
;光刻胶的组成;光刻胶类型;wafer;正光刻胶
;正光刻胶;正胶;负光刻胶;负胶;
显影液不易进入正胶的未曝光局部，正胶光刻后线条不变形。显影液会使负胶膨胀，线条变宽。虽然烘烤后能收缩，但易变形。所以负胶不适合2.0微米以下工艺使用。正胶是ULSI的主要光刻胶。
正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用HMDS作增粘处理。负胶对衬底粘附好，针孔密度较高。
3.正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。;两种光刻胶的性能;两种光刻胶的性能
;DUV深紫外光刻胶
;DUV胶化学增强的根本原理;EUVLithography—TheSuccessortoOpticalLithography?;WhyEUVL?
Inordertokeeppacewiththedemandfortheprintingofeversmallerfeatures,lithographytoolmanufacturershavefounditnecessarytograduallyreducethewavelengthofthelightusedforimagingandtodesignimagingsystemswitheverlargernumericalapertures.Thereasonsforthesechangescanbeunderstoodfromthefollowingequationsthatdescribetwoofthemostfundamentalcharacteristicsofanimagingsystem:itsresolution(RES)anddepthoffocus(DOF).Theseequationsareusuallyexpressedas
RES=k1λ/NA(1a)
and
DOF=k2λ/(NA)2,(1b)
whereλisthewavelengthoftheradiationusedtocarryouttheimaging,andNAisthenumericalapertureoftheimagingsystem(orcamera).TheseequationsshowthatbetterresolutioncanbeachievedbyreducingλandincreasingNA.;Figure2:Theregionbetweenthelinesshowsthewavelengthandnumericalapertureofcamerassimultaneouslyhavingaresolutionof100nmorbetterandaDOFof0.5μmorbetter;SourcesofEUVRadiation
AnumberofsourcesofEUVradiationhavebeenusedtodateinthedevelopmentofEUVL.Radiationhasbeenobtainedfromavarietyoflaser-producedplasmasandfromthebendingmagnetsandtheundulatorsassociatedwithsynchrotrons.;1、灵敏度
灵敏度的定义
单位面积上入射的使光刻胶全部发??反响的最小光能量或最小电荷量〔对电子束胶〕，称为光刻胶的灵敏度，记为S，S越小，那么灵敏度越高。;2、分辨率;式中，Wmin为最小尺寸，即分辨率。可见，假设灵敏度越高〔即S越小〕，那么Wmin就越大，分辨率就越差。;3、比照度;光进入光刻胶后，其强度按下式衰减;
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