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化学气相淀积化学气相淀积第六章JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU

6.1CVD概述6.2CVD工艺原理6.3CVD工艺方法6.4二氧化硅薄膜的淀积6.5氮化硅薄膜淀积6.6多晶硅薄膜的淀积6.7CVD金属及金属化合物薄膜目录CONTENTS

一、CVD概述化学气相淀积(ChemicalVaporDeposition,CVD)是把构成薄膜物质的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应，淀积成膜的工艺方法。淀积薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。衬底薄膜

一、CVD概述可以按照工艺特点、工艺温度、反应室压力、反应室壁温和化学反应的激活方式等分类，通常按照工艺特点分类，有：常压化学气相淀积(APCVD)低压化学气相淀积(LPCVD)等离子增强化学气相淀积(PECVD)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)激光诱导化学气相淀积(LCVD)微波化学气相淀积(MWCVD)CVD分类按气压分类热激活按反应激活方式分类低压化学气相淀积(LPCVD)等离子增强化学气相淀积(PECVD)

一、CVD概述用途与特点CVD工艺主要用于制备SiO2、Si3N4等介质薄膜，ploy-Si等半导体薄膜，另外，也用于制备金属化系统中常用的钨、金属硅化物等薄膜。CVD工艺制备的薄膜具有较好地性质，如附着性好，保形覆盖能力较高。不同的CVD方法制备的薄膜，性质不同、用途也不同：低温工艺制备的薄膜质地较疏松、密度低，抗腐蚀性较差，如低温SixNy用作保护膜；中温工艺薄膜密度高，抗腐蚀性好。如中温Si3N4用作腐蚀掩膜。CMOS电路PECVDLPCVD

二、CVD工艺原理2.1薄膜质量控制薄膜质量，主要是指薄膜是否为保形覆盖，界面应力类型与大小，薄膜的致密性、厚度均匀性、附着性等几方面特性。当然，对具体薄膜，用途不同、制备方法不同，对其质量控制的侧重点也有所不同。通过分析薄膜的质量特性，对淀积过程进行控制，从而制备出满足微电子工艺所需的薄膜。

CVD工艺原理1.台阶覆盖特性保形覆盖：指无论衬底表面有什么样的微结构图形，在上面淀积的薄膜都有相同的厚度。整个衬底温度相同，衬底表面上任何一点所淀积的薄膜厚度取决于到达该点的反应剂数量到达角（arrivalangle）：反应剂能够从各方向到达表面某一点的全部方向角。遮蔽（Shadowing）效应：指衬底表面上的图形对反应剂气体分子直线运动的阻挡作用。θ

CVD工艺原理气体分子到达衬底表面特殊的位置的机制可以有三种：扩散、再发射和表面迁移影响台阶覆盖因素很多：薄膜种类、淀积方法、反应剂系统和工艺条件（T、P、v）2.影响台阶覆盖因素

CVD工艺原理3.薄膜内应力应力导致薄膜衬底弯曲本征应力是薄膜淀积时，其分子缺乏足够的动能或足够的时间迁移到合适的结点位置，就被“冻结”而产生的；非本征应力是由薄膜结构之外的因素引起的，如热应力、外力等。通过工艺控制能够降低薄膜中的应力，如降低薄膜淀积工艺温度、改变工艺方法等，甚至能将薄膜内拉应力转化为压应力。

CVD工艺原理4.薄膜的其它质量特性致密性，主要由淀积工艺温度决定。温度越高薄膜越致密。因为温度高有助于薄膜分子在衬底表面的迁移、排列，气态副产物的解析、离开，但是，温度过高，当超出工艺温度范围时，难以成膜。厚度均匀性，主要是由薄膜淀积速率的均匀性决定。因此，衬底温度、气流成分与分布应均匀，气体流动状态应稳定。附着性，温度越高，附着性越好。CVD工艺薄膜与衬底多为化学吸附，甚至形成化学键，所以与衬底结合牢固。

一、概述2.2离子注入相关理论基础1.核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体CNMedium思源黑体CNNormal英文：TimesNewRomanCambriaMath基础字号：28色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可

CVD工艺原理CVD工艺原理第六章化学气相淀积JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU

CVD工艺原理2.1薄膜淀积过程SiH4（H2）→Poly-Si+2H2混合气体进入，气流是粘滞流，主气流区是层流，在硅片表面形成“边界层”；1硅烷扩散穿过边界层到达衬底表面；2在硅片表面硅烷及其分解的气态含硅原子团被吸附在硅片的表面，成为吸附分子；