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pn结的形成原理

P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位

置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少

子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越

强。

N型半导体

在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷，使之取代晶格中硅原子的位

置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的

浓度，故自由电子为多子，空穴为少子。如下图：

pn结的形成

当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候，由于P型半导体中

空穴浓度高，而N型半导体中电子浓度高，因此会形成一个扩散运动，P型

半导体中空穴会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到N型区，N型半导体的

电子也会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到P型区。这样一来，P型区剩

下不能自由移动的负离子，而N型区剩下不能自由移动的正离子，一正一

负，在PN结内部形成了一个从左往右的内电场，基本上这个内电场就体现

PN结的工作特性。另外有一点要说明的是，PN结只是局部带电，即P型区

呈负电，而N型区呈负电，但是它们俩一中和，整体上是呈中性的。

pn结的形成原理

在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因

此保持电中性。

1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动

在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子

和空穴的浓度差，N型区内的电子很多而空穴很少，P型区内的空穴而电子

很少，这样电子和空穴很多都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因

此，有些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型

区扩散。

2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区

电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中

和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。P区失去空穴留下带负电

的离子，N区失去电子留下带正电的离子，这些离子因物质结构的关系，它

们不能移动，因此称为空间电荷，它们集中在P区和N区的交界面附近，形

成了一个很薄的空间电荷区，这就是所谓的PN结。

3、空间电荷区产生的内电场E又阻止多子的扩散运动

在空间电荷区后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形

成一个电场，其方向从带正电的N区指向带负电的P区，由于该电场是由载

流子扩散后在半导体内部形成的，故称为内电场。因为内电场的方向与电子

的扩散方向相同，与空穴的扩散方向相反，所以它是阻止载流子的扩散运动

的。

综上所述，PN结中存在着两种载流子的运动。一种是多子克服电场

的阻力的扩散运动；另一种是少子在内电场的作用下产生的漂移运动。因

此，只有当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度和内建

电场才能相对稳定。由于两种运动产生的电流方向相反，因而在无外电场或

其他因素激励时，PN结中无宏观电流。