机械设备行业专题Perc、TOPCon、HJT与IBC电池片技术路线差异.pptx

机械设备Perc、TOPCon、HJT与IBC，各家电池片技术路线差异几何？

nMoRoPmMtNnMoNzQqRrMqR8OaOaQnPmMoMmOjMnNtOkPpNsObRnMnQuOmPnPMYnOoMPerc电池：量产十年，2021年市占率高达91.2%1 3

4图：perc电池结构图1.1Perc电池综述?PERC电池是从早期的BSF电池升级而来，并且得到行业的广泛应用，其电池结构在BSF结构的基础上，增加背面钝化层，降低少数载流子，提升电池转换效率。?PERC电池的工艺流程相对简单且设备成熟，近两年来，标配一些提效工艺，如激光SE、碱抛、光注入/电注入等。PERC技术以背面钝化层的沉积和激光开槽为主，后续在此基础上进行工艺改进优化时增加正面SE激光和光注入/电注入退火等工艺。清洗制绒图：perc电池工艺流程图扩散激光SEPSG去除和背面刻蚀背面钝化AlOx+SiNx正面镀膜SiNx激光开槽印刷烧结光注入/电注入退火测试分选

5图：爱旭股份Perc电池结构图1.2.1Perc电池：爱旭股份?下图图例，?11-硅基底，?12-氧化硅层，?13-第一氮化硅层，?14-第二氮化硅层，?15-第三氮化硅层。?优势：对比氧化铝ALD沉积法，反应速率更快；无需退火。图：爱旭股份Perc电池工艺流程图清洗制绒叠加SE激光去除PSG刻蚀激光开槽可正面镀膜硅片硅基底 磷扩散（选择性发射极）背面镀膜PECVD内部通入硅烷+笑气沉积氧化硅层(12)沉积氮化硅层（钝化）*PECVD内部通入氨气+硅烷沉积第一氮化硅层(第一钝化层)*PECVD内部通入氨气+硅烷沉积第二氮化硅层(第二钝化层)*PECVD内部通入氨气+硅烷沉积第三氮化硅层(第三钝化层)丝网印刷烧结

61.2.2Perc电池：阿特斯6图：阿特斯份Perc电池结构图?下图图例，?Si-硅基底，?1-氧化铝薄膜，?2-氮化硅薄膜，?3-氮氧化硅薄膜。图：阿特斯Perc电池工艺流程图清洗制绒叠加SE激光去除PSG刻蚀激光开槽背面镀膜硅片硅基底 磷扩散（选择性发射极）退火*石墨板覆盖-放入ALD内部沉积氧化铝薄膜(1)*放入石墨舟-放入PECVD内部通入氨气+硅烷沉积氮化硅薄膜(2)*通入笑气+氨气+硅烷-外部沉积氮氧化硅薄膜(3)丝网印刷烧结

71.2.3Perc电池：通威股份图：通威股份Perc电池工艺流程图清洗制绒叠加SE激光热氧化背面镀膜退火硅片硅基底 磷扩散（选择性发射极）抛光*PECVD内部臭氧+三甲基铝沉积氧化铝层；硅烷+氨气沉积氮化硅层正面镀膜丝网印刷*PECVD内部射频反应沉积氮化硅层烧结?正面银浆?背面铝浆

TOPCon：产业化进程加速2 8

2.1TOPCon电池综述?隧穿氧化层钝化接触太阳能电池（TunnelOxidePassivatedContactsolarcell,TOPcon），高质量的超薄氧化硅和重掺杂多晶硅的叠层结构，对全背表面实现了高效钝化，同时载流子选择性地被收集，具有制备工艺简单、使用N型硅片无光致衰减问题和与传统高温烧结技术相兼容等优点。图：TOPCon电池示意图图：TOPCon电池掺杂层制备方法

102.2.1TOPCon电池：隆基股份?下图图例，?1-硅基底?2-隧穿氧化硅层?3-多晶硅层（掺杂前），磷掺杂多晶硅（掺杂后）?4-第一层钝化层SiO?5-背面电极银电极?6-第二层钝化层AlOSi3N4?7-正面电极铝电极?8-P+层图：隆基股份TOPCon电池示意图图：隆基股份TOPCon电池工艺流程图正面制绒LPCVD内沉积隧穿氧化硅层（2）沉级本征多晶硅层（3-掺杂前）背面沉积：背面钝化处理：沉积氮化硅-第一层钝化层（4）正面沉积：正面钝化处理：沉积氧化铝氮化硅层-第二层钝化层（6）硅片硅基底去除PSG本征多晶硅层-磷掺杂-磷掺杂多晶硅层（3）正面电极区域激光处理（打开第二钝化层）正面印刷铝浆-烧结-正面电极（7）接触面形成铝硅合金P+层（8）导电+钝化作用背面印刷银浆-烧结-背面电极（5）

112.2.2TOPCon电池：天合光能?下图图例，?1-第一钝化层?2-第二钝化层?3-第三钝化层?4-第四钝化层、?5-硅基底?6-隧穿氧化硅层?7-多晶硅层?8-氮化硅膜?9-正面印刷银层（背面电极）?10-背面印刷银层（背面电极）图：天合光能TOPCon电池示意图正面制绒沉积隧穿氧化硅层（6）和多晶硅层（7）硅片硅基底(5)去除正面PSG刻蚀正面沉积*沉积第一钝化层(1)——CVD沉积法沉积氧化铝层；*沉积第二钝化层(2)——CVD沉积法氧化硅、碳化硅或氮氧化硅层重任意一层或至少两种叠层；*沉积第三钝化层(3)——氮化硅层；*沉积第四钝化层(4)——CVD沉积法氧化硅、碳化硅或轻氧化硅层