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中压电缆用半导电屏蔽料采购（检验）规范
1适用范围
本文件适用于中压电缆用半导电屏蔽料的采购和检验。
2编制依据
本文件参考JB/T10738编制而成。
3产品名称、规格：
PYJD-3535kV交联聚乙烯绝缘电缆导体用过氧化物交联型半导电屏蔽料
PYJBJ-3535kV交联聚乙烯绝缘电缆绝缘用过氧化物交联型可剥离半导电屏蔽料
PYJJ-3535kV交联聚乙烯绝缘电缆绝缘用过氧化物交联型半导电屏蔽料
PYJD-1010kV交联聚乙烯绝缘电缆导体用过氧化物交联型半导电屏蔽料
PYJBJ-1010kV交联聚乙烯绝缘电缆绝缘用过氧化物交联型可剥离半导电屏蔽料
PSD10kV交联聚乙烯绝缘电缆导体用热塑型半导电屏蔽料
4产品颜色：黑色。
5技术要求
5.1外观：呈光滑黑色颗粒状，颗粒尺寸不应超过5mm×4mm×4mm，不应有目力可见的焦烧粒子和其它杂质。
5.2材料挤出的工艺性能应满足工艺及生产设备要求。材料经挤出后，表面或同绝缘层界面应平整光滑、无颗粒杂质和凸起。PSD材料挤出时必须满足最高180℃温度设定，而不会使该材料出现气泡、气孔现象。
5.3主要技术要求见表1。
表1技术要求
项目
单位
指标
PYJD-35
PYJBJ-35
PYJJ-35
PYJD-10
PYJBJ-10
PSD
相对密度20℃
g/cm3
0.95～1.20
0.95～1.20
0.95～1.20
0.95～1.20
0.95～1.20
0.95～1.20
抗张强度
MPa
≥12.0
≥10.0
≥10.0
≥12.0
≥10.0
≥10.0
断裂伸长率
%
≥180
≥200
≥200
≥180
≥200
≥200
空气箱热老化试压
实验条件：热老化温度
持续时间
抗张强度变化率不超过
断裂伸长率变化率不超过
℃
h
%
%
135±2
168
±30
±30
135±2
168
±30
±30
135±2
168
±30
±30
135±2
168
±30
±30
135±2
168
±30
±30
100±2
240
±30
±30
表1（续）技术要求
项目
单位
指标
PYJD-35
PYJBJ-35
PYJJ-35
PYJD-10
PYJBJ-10
PSD
冲击脆化
试验温度
冲击脆化性能
℃
失效数
≤-40
≤15/30
≤-40
≤15/30
≤-40
≤15/30
≤-40
≤15/30
≤-40
≤15/30
≤-10
≤15/30
热延伸：200℃0.2MPa15min
负荷下伸长率
冷却后永久变形
%
%
≤100
≤15
≤100
≤15
≤100
≤15
≤100
≤15
≤100
≤15
—
—
20℃时体积电阻率
Ω.cm
≤100
≤100
≤100
≤500
≤500
≤100
70℃时体积电阻率
Ω.cm
—
—
—
—
—
≤1000
90℃时体积电阻率
Ω.cm
≤5000
≤2500
≤2500
≤5000
≤2500
—
空气箱热老化后
体积电阻率（100±2℃，168h）
90℃时
Ω.cm
≤1000
≤500
≤500
≤1000
≤500
—
70℃时
Ω.cm
—
—
—
—
—
≤1000
剥离强度
N/cm
45或断裂
10~45
45或断裂
45或断裂
10~45
45或断裂
100℃，168h空气箱热老化后
剥离强度
N/cm
—
10~45
—
—
10~45
—
6试验方法
试验方法按表2规定。
表2试验方法
项目
试验方法
相对密度
GB/T2951或GB/T1033
抗张强度
GB/T1040
断裂伸长率
GB/T1040
老化后抗张强度变化率和断裂伸长率变化率
GB/T2951和GB/T1040
冲击脆化
GB/T5470
热延伸
GB/T2951
20℃时体积电阻率
GB/T3048
90℃（70℃）时体积电阻率
JB/T10738附录A
老化后90℃（70℃）时体积电阻率
GB/T2951和JB/T10738附录A
剥离强度
JB/T10738附录B
老化后剥离强度
GB/T2951和JB/T10738附录B
7包装、产品标识
7.1产品应装在增强型聚乙烯薄膜袋中，置于坚固的箱内，箱底应带有托盘，以便叉车搬运，PSD型半导电屏蔽料可采用小包装，25kg/包，装袋后应以40包为一个包装单位，每4包一层叠放包装在托盘上，宽度不大于1.5m，高度不大于1.9m，方便进入电梯。其余型号的半导电屏蔽料每箱净重500kg，每箱下面应有托盘。托盘
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