系统级封装(SiP)通用技术要求（征求意见稿）.docx

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系统级封装(SiP)通用技术要求

1范围

本文件规定了系统级封装（SiP）的一般要求、材料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本文件适用于芯片倒装、引线键合芯片、无源器件等封装的设计、生产、检验以及验收。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T4677—2002印制板测试方法

GB/T4937.11—2018

半导体器件

机械和气候试验方法

第11部分:快速温度变化双液槽法

GB/T4937.13—2018

半导体器件

机械和气候试验方法

第13部分:盐雾

GB/T4937.14—2018

半导体器件

机械和气候试验方法

第14部分:引出端强度（引线牢固性）

GB/T4937.21—2018

半导体器件

机械和气候试验方法

第21部分:可焊性

GB/T4937.22—2018

半导体器件

机械和气候试验方法

第22部分:键合强度

GB/T9178—1988集成电路术语

GB/T12842—1991膜集成电路和混合膜集成电路术语

IEC60749-8:2002半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing）

IEC60749-25:2003半导体器件机械和气候试验方法第25部分:温度循环（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:Temperaturecycling）

IEC60749-36:2003半导体器件机械和气候试验方法第36部分:稳定加速（Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate）

3术语和定义

GB/T9178—1988、GB/T12842—1991界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

系统级封装systeminpackage；SiP

提供涉及一个系统或子系统功能，组装在一个单元中地不同功能元器件的集合。注：一个SiP可选择含有无源元件、微机电系统（MEMS）、光学元器件、其他封装体及器件。[来源：GB/T41037—2021，3.1.1]

3.2

翘曲度warp

在质量合格区内，一个自由的，无夹持的硅片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。[来源：GB/T6620—2009，3.2]

4一般要求

4.1可制造性

应充分考虑设备加工能力、工艺水平及相应的组装要求。4.2芯片排布

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芯片位置应均匀排布，考虑外部环境的影响或者芯片自身发热等导致产生应力等因素。4.3热设计

热设计应符合以下规定：

——充分考虑芯片散热及芯片与基板材料间的热匹配问题，优选与芯片热膨胀系数匹配、结合强度良好的基板材料；

——对散热要求高的芯片需从基板材料以及热传导结构设计等方面进行优化。4.4可测试性

应设置检测点，以便于故障排查和原因分析。4.5可靠性

根据产品的可靠性要求、工作环境的极限条件、可接受的故障率和其他特殊要求，选用相应质量等级的芯片、基板等。

5材料要求

5.1基板

板面不应有碎裂和毛刺，表层基材不应露出织物。5.2外壳

外壳各部分零件材料应防霉，且不应有气孔、龟裂、漏气、变软，或出现按规定条件贮存或工作时对外壳环境适应能力产生有害影响的缺陷。外引线或引出端材料的选取应与壳体金属材料及封接材料相匹配，具有镀覆特性和抗疲劳性能，并满足适用的电流承载及信号传输要求。绝缘介质材料应具有机械性能、电性能、导热性能、热匹配性能以及化学稳定性。

6技术要求

6.1外观

6.1.1杂质

芯片表面、外壳内应洁净，不应存在杂质。6.1.2电路

电路不应有锈蚀、划痕、机械伤痕、标记不清晰的缺陷。6.1.3引线

6.1.3.1内部引线不应有多余的环或弯曲。

6.1.3.2引线和键合的结合处不应有撕裂。

6.1.3.3引线上的裂口