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第六章大规模集成电路
从应用角度LSI分为通用型和专用型。
从工艺角度LSI分为TTL和MOS两类。
存储器按工作方式分为顺序存取存储器(SAM),随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM)三种。
6.1顺序存取存储器(SAM)
SAM--SequentialAccessMemory.
大规模集成存储器的存储单元采用动态MOS存储单元。;6.1.1动态MOS寄存器
1.动态MOS存储单元
利用MOS管的栅极电容暂存信息。
需定期给栅极电容充电或放电(刷新),以免信号丢失。;2.动态CMOS移位寄存器;6.1.2SAM的结构及工作原理
1FIFO型SAM;;2FILO型SAM
;6.2随机存取存储器
(RAM--RandomAccessMemory)
由地址译码器、存储矩阵、读写控制电路、片选控制器、输出缓冲器组成。结构图见图6.2.1。
存储器的容量存储矩阵中所含存储单元的个数。例如某
存储矩阵有32行、32列,则存储器的容量为32?32=1024个
单元
,叫
做1K。
;RAM根据地址译码方式的不同,分单地址结构和双地址结构。
1.单地址结构
图6.2.3为
N字?K位
单地址寻
址的RAM,
有N?K
(2n?K)个单
元,可以存
放N个K位
信息字.
;2.双地址结构
有两个译码器,行译码器X和列译码器Y。;3RAM2114
容量=210字?4位=1024?4=4096个单元
;4.RAM6116
容量=211字?8位=2048(2K)?8=16384个单元
电源电压5V,与TTL兼容
三种操作方式
1)写入
条件是:
2)读出
条件是:
3)低功耗维持
;6.2.3RAM的扩展
RAM的扩展分为字扩展和位扩展两种。
1.位扩展
例1024?1位RAM构成1024?4位RAM.
?所需片数
=总容量/每片容量
=4;2.字扩展
例1024?1位RAM构成1024?4字?1位RAM.
?所需片数=4
?加片选译码器
1)输出端数N=4
(总字数/每片的字数)
2)输入端数n=2
(2n=N)
即地址输入扩展增
加的位数.
;3.字位扩展
例用1024?1位RAM构成4096?2位RAM.
?所需片数=8
?I/O??线并联的片数=4
?片选译码器输入数=2;输出数=4
?总地址输入=12
?总容量
=212?2
=4096?2位;
例用4?4位RAM构成8?8位RAM.
?所需片数=(8?8)/(4?4)=4
?I/O位线并联的片数=2
;
例用4?2位RAM构成8?4位RAM.
?所需片数=(8?4)/(4?2)=4
?I/O位线并联的片数=2
;6.3只读存储器(ROM)
6.3.1固定ROM;?存储矩阵可由三极管或场效应管组成,见图6.3.2和6.3.3
?存储矩阵的简化表示--码点表示。
6.3.2可编程ROM
1.可编程ROM(PROM)
(只能改写一次)
?存储单元由三极管和熔丝组成
(见图6.3.5)。
?出厂时所有单元的熔丝都是通
的,存储内容为全“1”。
?使用前,用户根据自己的程序进
行一次编程处理。;2.可改写ROM(EPROM)
(可多次改写,紫外线擦除)
?存储单元为迭层栅MOS管,它有两个栅极.
?若要擦去所写入的信号,可用EPROM擦洗器产生的强紫外线,对EPRO
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