复试数字电子技术基础数电数电章.pptx

第六章大规模集成电路

从应用角度LSI分为通用型和专用型。

从工艺角度LSI分为TTL和MOS两类。

存储器按工作方式分为顺序存取存储器（SAM），随机存取存储器（RAM），只读存储器（ROM）三种。

6.1顺序存取存储器（SAM）

SAM--SequentialAccessMemory.

大规模集成存储器的存储单元采用动态MOS存储单元。;6.1.1动态MOS寄存器

1.动态MOS存储单元

利用MOS管的栅极电容暂存信息。

需定期给栅极电容充电或放电（刷新），以免信号丢失。;2.动态CMOS移位寄存器;6.1.2SAM的结构及工作原理

1FIFO型SAM;;2FILO型SAM

;6.2随机存取存储器

(RAM--RandomAccessMemory)

由地址译码器、存储矩阵、读写控制电路、片选控制器、输出缓冲器组成。结构图见图6.2.1。

存储器的容量存储矩阵中所含存储单元的个数。例如某

存储矩阵有32行、32列，则存储器的容量为32?32=1024个

单元

，叫

做1K。

;RAM根据地址译码方式的不同，分单地址结构和双地址结构。

1.单地址结构

图6.2.3为

N字?K位

单地址寻

址的RAM,

有N?K

(2n?K)个单

元，可以存

放N个K位

信息字.

;2.双地址结构

有两个译码器，行译码器X和列译码器Y。;3RAM2114

容量=210字?4位=1024?4=4096个单元

;4.RAM6116

容量=211字?8位=2048（2K）?8=16384个单元

电源电压5V，与TTL兼容

三种操作方式

1）写入

条件是：

2）读出

条件是：

3）低功耗维持

;6.2.3RAM的扩展

RAM的扩展分为字扩展和位扩展两种。

1.位扩展

例1024?1位RAM构成1024?4位RAM.

?所需片数

=总容量/每片容量

=4;2.字扩展

例1024?1位RAM构成1024?4字?1位RAM.

?所需片数=4

?加片选译码器

1）输出端数N=4

(总字数/每片的字数)

2）输入端数n=2

(2n=N)

即地址输入扩展增

加的位数.

;3.字位扩展

例用1024?1位RAM构成4096?2位RAM.

?所需片数=8

?I/O??线并联的片数=4

?片选译码器输入数=2;输出数=4

?总地址输入=12

?总容量

=212?2

=4096?2位;

例用4?4位RAM构成8?8位RAM.

?所需片数=(8?8)/(4?4)=4

?I/O位线并联的片数=2

;

例用4?2位RAM构成8?4位RAM.

?所需片数=(8?4)/(4?2)=4

?I/O位线并联的片数=2

;6.3只读存储器(ROM)

6.3.1固定ROM;?存储矩阵可由三极管或场效应管组成，见图6.3.2和6.3.3

?存储矩阵的简化表示--码点表示。

6.3.2可编程ROM

1.可编程ROM(PROM)

(只能改写一次)

?存储单元由三极管和熔丝组成

(见图6.3.5)。

?出厂时所有单元的熔丝都是通

的,存储内容为全“1”。

?使用前,用户根据自己的程序进

行一次编程处理。;2.可改写ROM(EPROM)

（可多次改写，紫外线擦除）

?存储单元为迭层栅MOS管,它有两个栅极.

?若要擦去所写入的信号,可用EPROM擦洗器产生的强紫外线,对EPRO