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In2O3多级结构制备及气敏性能研究
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In2O3多级结构制备及气敏性能研究
摘要：当今世界，随着技术的不断发展，工业进程的不断推进，给我们带来诸多便利的同时，也带来了许多棘手的环境问题。因而，越来越多的研究者开始研究纳米材料的气敏性能，应用于气体传感器，来实时地监测气体，氧化铟由于具有导电性好，电阻率低等优点。氧化铟在气体传感器方面应用效果显著，为了提高In2O3材料的气敏特性，本文通过对In2O3多级结构的制备来探究其气敏性能。研究发现：
采用不同表面活性剂制备氧化铟分级结构，其中P-123为表面活性剂制得的纳米线
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