半导体器件物理与工艺第一章.ppt

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2024-08-26 发布于广西
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第1章半导体器件简介1.1半导体器件器件的4种根底结构半导体金属金属-半导体接触P型半导体N型半导体P-N结半导体A半导体B金属半导体氧化物异质结MOS结构

〔一〕金属半导体接触

可以用来做整流接触,具有单向导电性；也可以用来做欧姆接触,电流双向通过。

〔二〕p-n结(junction)一种由p型和n型半导体接触形成的结，是大局部半导体器件的关键根底结构；加上另一个p型半导体就可以形成一个p-n-p双极型晶体管；结合三个p-n结就可以形成p-n-p-n结构,叫做可控硅器件。

〔三〕异质结(heterojunction)由两种不同材料的半导体接触形成的结；是快速器件和光电器件的关键构成要素。

〔四〕MOS结构金属-氧化物界面和氧化物-半导体界面结合的结构；用MOS结构当作栅极,再用两个p-n结分别当作漏极和源极,就可以制作出金氧半场效应晶体管(MOSFET)；目前集成电路中最重要的器件。

公元半导体器件作者/发明者1874金属-半导体接触Braun1907发光二极管Round1947双极性晶体管BardeenBrattainShockley1949P-N结Shockley1952太阳能电池ChapinFullerPearson1958隧道二极管Esaki1960MOSFETKshngAtalla1967非挥发性半导体存储器Kahng施敏主要半导体器件