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(完整版)半导体材料及特性--第1页

地球的矿藏多半是化合物，所以最早获取利用的半导体资料都是化合物,比如方铅矿(PbS)

很早就用于无线电检波，氧化亚铜(CuO)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光

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资料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导

体，曾是固体整流器和光电池的重要资料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开拓了半导

体历史新的一页，此后电子设施开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年

初次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％)的锗开始的。采纳元素半导体硅（Si）以

后，不单使晶体管的种类和品种增添、性能提升，并且迎来了大规模和超大规模集成电路的

时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促使了微波器件和光电器件的快速发

展。

半导体资料可按化学构成来分，再将构造与性能比较特别的非晶态与液态半导体独自列为一

类。依据这样分类方法可将半导体资料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半

导体和非晶态与液态半导体。

元素半导体：在元素周期表的Ⅲ族至Ⅶ族散布着11种拥有半导性的元素，下表的黑框中

AA

即这11种元素半导体,此中C表示金刚石。C、P、Se拥有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、

Ge、Te拥有半导性；Sn、As、Sb拥有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸

汽压太高、简单分解，所以它们的适用价值不大。As、Sb、Sn的稳固态是金属，半导体是

不稳固的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的限制性而还没有被利用。所

以

这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se3种元素已获取利用。Ge、Si还是全部半导体资料

中应用最广的两种资料。

无机化合物半导体：分二元系、三元系、

四元系等。二元系包含：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC

和Ge-Si合金都拥有闪锌矿的构造。②Ⅲ

-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In

和V族元素P、As、Sb构成，典型的代表

为GaAs。它们都拥有闪锌矿构造,它们在

应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前

途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和

Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一

些重要的光电资料。ZnS、CdTe、HgTe具

有闪锌矿构造。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素C

u、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的

化合物，此中CuBr、CuI拥有闪锌矿构造。

半导体资料

⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族

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元素S