to激光器原理及制作工艺流程报告.ppt

TO激光器奥康光通器件（中山）有限公司培训资料编制：汪涛曰期：.11.23

奥康光通器件（中山）有限公司背景简介激光的发展简史1916年，爱因斯坦提出了“受激辐射”的概念，奠定了激光的理论基础。1958年，贝尔实验室的汤斯和肖洛发表了关于激光器的经典论文，奠定了激光发展的基础。

奥康光通器件（中山）有限公司1960年，美国人梅曼(T.H.Maiman)发明了世界上第一台红宝石激光器。Maiman这两次发明开创了传统的固体激器和气体激光器的时代，自此，激光走上了高速发展的道路。此后，半导体激光器、染料激光器、自由电子激光器都在相应学科的支持下出现。特别是八十年代，随着光电子学和半导体技术的发展，光纤激光器和孤子激光器相继出现，将激光引入以光电子和微电子为主的信息时代。1962年，He－Ne气体激光器在美国贝尔实验室研制成功。

奥康光通器件（中山）有限公司Laser1964年10月，物理學家钱學森提议称之為-----激光LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation表达“受激辐射的光放大”激光器：发光二极管LED半导体激光器LD分布反馈激光器LD量子阱激光器LD传播速率：MHzGb/s10Gb/s40Gb/s

奥康光通器件（中山）有限公司1、激光器的分类固体激光器：把金属离子掺入晶体或玻璃基质中按工作物质分类气体激光器：原子气体、分子气体和离子气体液体激光器：有机染料溶液和无机化合物溶液半导体激光器：半导体材料壹、激光器的基本知识

奥康光通器件（中山）有限公司半导体激光器又称為半导体激光二极管，或简称激光二极管，英文缩写為LD(LaserDiode)，是实用中最重要的壹类激光器。長处：体积小、效率高、寿命長，可采用简朴的電流注入方式来泵浦；其工作電压和電流与集成電路兼容，因而有也許与之單片集成；并且還可用高达GHZ的频率直接進行電流调制以获得高速调制的激光输出，可实行温度调谐和電流调谐。

奥康光通器件（中山）有限公司1.1激光器的构造 注入电流有源区解理面解理面L增益介质R1R2z=0z=L法布里—泊洛腔激光器(FP-LD)分布反馈激光器(DFB-LD)

奥康光通器件（中山）有限公司2、半导体激光器的应用……信息存储与处理科学研究军事应用光通信半导体激光器的应用医学应用

奥康光通器件（中山）有限公司半导体激光器的应用半导体激光器信息的传递

奥康光通器件（中山）有限公司3、半导体激光器的基本特性激光工作物质：直接带隙半导体材料------砷化稼(GaAs)、砷化铟(InAs)、铝稼砷(A1xGaAs)、铟磷砷(InPxAs)等等谐振腔：半导体介质的自然解理面构成平行平面腔泵浦源：壹般采用電压很低的直流電源

奥康光通器件（中山）有限公司3.1激光的产生原理A、激光的定义：受激（外界原因影响）辐射的光。B、激光产生的条件：工作物质：实現粒子数反转鼓励源：使原子被激发谐振腔：光放大作用a、能实现粒子反转分布Eg=h?导带(原子核最外层的电子)价带（原子核次外层的电子）处在价带的原子受到外来能量时,吸收这一能量跃迁到高能级的过程。

奥康光通器件（中山）有限公司导带：自由電子能带，没有自由電子時导带是空的价带：共价键束缚電子所占据的能带。价带被電子填满，是不导電的。禁带：导带与价带之间的能带，又称带隙，電子不存在的区域。价電子获得足够的能量就成為自由電子，從价带跃迁到导带，此時在价带上留下空穴位置。半导体的禁带比绝缘体小，导带上有少許電子；导体無禁带。

奥康光通器件（中山）有限公司b、鼓励源：较低的直流電（TOLD壹般為25～40mA@25℃），到达阈值条件。c、谐振腔：全反射镜半反射镜光放大激光工作物质光输出

奥康光通器件（中山）有限公司3.2光发射的三种跃迁過程：a、自发辐射：处在高能级的原子以壹定的几率自发的向低能级跃迁，同步发出壹种光子的過程，a）图；b、受激辐射過程：在满足两能级之差的外来光子的鼓励下，处在高能级的原子以壹定的几率自发向低能级跃迁，同步发出另壹种与外来光子频率相似的光子，b）图；C、受激吸取過程：在满足两能级之差的外来光子的鼓励下，