9.项目九 汽车电力电子器件.pptxVIP

项目九汽车电力电子器件认知;任务一汽车电力电子器件认知;一、汽车电力电子器件;表6—1四种汽车电力电子器件比较;2.车用与工业用电力电子器件区别;3.电力电子器件实际特性与理想特性区别;二、电力二极管;2.电力二极管类型其主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。（1）普通二极管普通二极管(GeneralPurposeDiode)又称整流二极管(RectifierDiode)，多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。（2）快速恢复二极管恢复过程很短特别是反向恢复过程很短(5μs以下)的二极管，也简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结构类型，也有的采用对此加以改进的PN结构。（3）肖特基二极管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode--SBD)，简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点在于:反向恢复时间很短(10~40ns)，

;三、电力晶体管;2.电力晶体管结构电力晶体管的英文GiantTransistor—GTR，TR是Transistor的首和尾字母，它是一种双极结型晶体管，具有高反压，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。它被广泛用于交直流电机调速、中频电源等电力变流装置中。

;3.电力晶体管原理;4.电力晶体管模块化;图6—16两单元电力晶体管（GTR)模块的实物;图6—17两单元电力晶体管（GTR)模块的内部实际电路;四、电力场效应晶体管;2.电力场效应管结构电力场效应管内部结构、电气符号见图6—18，电力场效应晶体管有三个端子：D（Drainage漏极）、G（Gate栅极）、S（Source源极）三个极，原理与《电工电子学》中的场效应管相同。

;3.电力场效应管原理以N沟道的电力场效应管为例，在电力场效应管的漏极（D）接工作电路电源正极，源极（S）接工作电路电源负极时，工作情况如下：（1）栅极（G）和源极（S）之间无驱动电压或低于开启电压若电力场效应管栅极（G）和源极（S）之间电压为0，沟道不导电，电力场效应管的漏极（D）和源极（S）处于截止（不导通）状态。（2）栅极（G）和源极（S）之间电压大于或等于管子的开启电压电力场效应管栅极（G）和源极（S）之间电压大于或等于管子???开启电压，沟道导电，电力场效应管的漏极（D）和源极（S）处于导通状态，且开启电压越大，导电能力越强，漏极电流越大。一旦导电沟形成，即使电力场效应管栅极（G）和源极（S）之间电压降低至管子的开启电压以下或为零电压（取消驱动电压），导电沟仍不会消失，电力场效应管的漏极（D）和源极（S）仍处于导通状态。放大能力用输出电流比输入电压，量纲为电阻的倒数，称为跨导，单位是S（西门子），是电压放大电流的器件。（3）栅极（G）和源极（S）之间加负电压时电力场效应管栅极（G）和源极（S）之间加负电压时，导电沟道消失，管子的漏极（D）和源极（S）处于截止状态，且开启负电压越大，导电沟道消失的越快。

;4.电力场效应管保护措施电力场效应管的绝缘层易被击穿是它的致命弱点，栅源电压一般不得超过±20V，因此，在应用时必须采用相应的保护措施，通常有以下几种:（1）防静电击穿电力场效应管最大的优点是有极高的输入阻抗，因此在静电较强的场合易被静电击穿，为此，应注意储存时，应放在具有屏蔽性能的容器中，取用时工作人员要通过腕带良好接地；在器件接入电路时，工作台和烙铁必须良好接地，且烙铁断电焊接；测试器件时，仪器和工作台都必须良好接地。（2）防偶然性震荡损坏当输入电路某些参数不合适时，可能引起震荡而造成器件损坏，为此，可在栅极输入电路中串入电阻。（3）防栅极过电压可在栅源之间并联电阻或约20V的稳压二极管。（4）防漏极过电流由于过载或短路都会引起过大的电流冲击，超过极限值，此时必须采用快速保护电路使用器件迅速断开主回路。

;任务二绝缘栅极双极型晶体管;一、绝缘栅极双极型晶体管;2.绝缘栅极双极型晶体管结构绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）的工作原理是电力晶体管（GTR）和电力场效应管（P-MOSFET）结构的复合，IGBT结构上如图6—19所示。电力晶体管（GTR）是N+、P、N-、N+四层半导体组成，无SiO2绝缘层；电力场效应管（P-MOSFET）是N+、P、N-、N+四层半导体组成，但有SiO2绝缘层；绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）是N+、P、N-、N+、P+五层半导体组成，有SiO2绝缘层。

;一、绝缘栅极双极型晶体管;一、绝缘栅极双极型晶体管;一、绝缘栅极双极型晶体管;5.驱动电压对IGBT的影响作用在IGBT栅极和发射极之间的电压会有如下表现：在0～4.0伏和未