三极管的结构和工作原理(“三极管”相关文档)共38张兼容版.pptxVIP

§2.2.1三极管的结构和工作原理;国产三极管的命名方式;;结构特点：;三极管内载流子的传输过程;;;;ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。

放大区：此时，发射结正偏，集电结反偏。

输入端交流开路时的反向电压传输系数，即

(2)当集电结进入反偏状态时，vCB=vCE-vBE随着vCE的增大而增大，集电结的反偏加强。

集电结空间电荷层厚度↑

iC↑，输出曲线向上倾斜

三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管

(T=300K)

h参数中的电流源和电压源都是受控源，其方向不能随意假定。

三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管

（以共射极放大电路为例）

如何判断三极管的电极、管型和材料

??ib是受控源，且为电流控制电流源(CCCS)。

h参数是在某个静态工作点测得的，其数值与静态工作点有关。

ur=hrerce=1/hoe;§2.2.2三极管的特性;三极管的特性曲线;vCE=0V;;如何判断三极管的电极、管型和材料;;§2.2.3三极管的主要参数;电流放大系数;电流放大系数;;(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+）ICBO;;;§2.2.4三极管的模型;建立小信号模型的意义;;当vCE1V以后，由于集电结的反偏电压可以在单位时间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极，故iC不随vCE变化，所以同样的vBE下的iB不变，特性曲线几乎重叠。

h参数是在某个静态工作点测得的，其数值与静态工作点有关。

反映iC～vCE曲线在线性区内水平程度（即斜率）的参数

(1)集电极基极间反向饱和电流ICBO

其中对于低频小功率管rb≈200?

当三极管在电路中处于放大状态时

V(BR)EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。

另外,基区集电区本身存在的少子，

?rce很大，约为100k?。

一般也用公式估算rbe;;;H参数等效电路中需注意的几点;;H参数的确定;跨导gm;厄利电压VA;ur=hrerce=1/hoe

h参数中的电流源和电压源都是受控源，其方向不能随意假定。

??ib是受控源，且为电流控制电流源(CCCS)。

iB=IB+△iB

试判别三个管脚的极名、是硅管还是锗管？NPN型还是PNP型？

PCM值与环境温度有关，温度愈高，则PCM值愈小。

三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管

V(BR)CBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。

iB=f(vBE)?vCE=const

当vCE1V以后，由于集电结的反偏电压可以在单位时间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极，故iC不随vCE变化，所以同样的vBE下的iB不变，特性曲线几乎重叠。

h参数中的电流源和电压源都是受控源，其方向不能随意假定。

ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。

ic=hfeib+hoevce

饱和区：的区域，发射结正偏，集电结正偏。

按结构分有NPN型和PNP型

饱和区：的区域，发射结正偏，集电结正偏。;作业