制绒原理及相应问题的对策.ppt

单晶制绒原理及相应对策;左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。

右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。;绒面作用：

1、减少外表反射

2、提高内部光吸收;绒面产生原理;

腐蚀速率快慢由以下三个反响速度来决定。

1、腐蚀液流至被腐蚀物外表的移动速率；

2、腐蚀液与被腐蚀物外表产生化学反响的反响速率；

3、生成物从被腐蚀物外表离开的速率。;

1、水分子的屏蔽效应〔screeningeffect〕阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。

2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共价健及两个悬挂健，当刻蚀反响进行时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面积悬挂健越多，会造成外表的化学反响自然增快。;腐蚀速度的差异造成金字塔的形状;影响因素分析;各个因素作用;图5不同IPA浓度下温度和NaOH溶液浓度对反响速度的影响;图6一定温度下NaOH溶液浓度和IPA含量对反响速率的影响;温度越高腐蚀速度越快

腐蚀液浓度越高腐蚀速度越快

IPA浓度越高腐蚀速率越慢

Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢;对反射率的影响;图8一定条件下NaOH浓度和IPA含量对反射率的影响;KOHonly;;;关键因素的分析

——NaOH的影响;关键因素的分析

——温度的影响;关键因素的分析

——IPA浓度的影响;制绒方法归纳;怎样是“好”的金字塔;Lowdensitytexture;怎样得到“好”的金字塔;增加反应速度;工业制绒常见问题及对策;工艺控制方法;硅片外表沾污的来源;外表油脂货摊沾污的结果;制绒本卷须知;外表油脂去除方案;方案一、利用NaOCl预清洗;实验条件;硅片外表的沾污之一;硅片外表的沾污之二;存在沾污的结果;新的清洗工艺;清洗后外表FTIR谱之一;清洗后外表FTIR谱之二;新工艺处理后的硅片外表;结果比较;如何检测硅酸钠含量;多晶制绒原理及相应对策;多晶硅织构化应使用各项同性织构技术;湿法各项同性腐蚀;温度与腐蚀速度的关系;温度对腐蚀速度和反射率的影响;腐蚀时间对外表形貌的影响;窄的晶界；小而均匀的腐蚀坑;腐蚀深度的线状谱;各项同性腐蚀的拓扑图;具有多孔硅的织构化;碱织绒与酸织绒的差异;一对矛盾;深沟腐蚀区外表形貌;多晶硅织绒工艺控制要素;谢谢！