电子行业人工智能系列专题报告(二)：HBM算力卡核心组件，国内产业链有望受益.docx

正文目录

高带宽存储（HBM）算力GPU核心硬件 3

HBM是高性能计算卡的核心组件之一 3

高端芯片国产替代，政策支持算力产业 4

三因素共振，存储周期回暖、国产推进顺利、消费领域增量 5

HBM是新一代DRAM技术，显著提升数据处理速度 5

多年迭代，HBM3拥有超过1TB/s总带宽 7

SKHynix和美光并驱争先HBM3E 12

核心技术硅通孔（TSV）提升存储系统性能和容量 14

机器学习和PVT感知优化HBM 15

市场规模增速快，三大巨头竞争激烈 17

2028年全球市场规模或达63.2亿美元 17

SKHynix、三星、美光三足鼎立 17

建议关注 19

聚辰股份 19

澜起科技 19

联瑞新材 22

赛腾股份 22

华海诚科 23

壹石通 23

风险提示 24

图目录

图1:SKHynix12层HBM3产品提供24GB容量 3

图2:HBM对比GDDR5 6

图3:各代HBM产品的数据传输路径配置 6

图4:HBM堆叠结构示意 7

图5:JEDEC定义的三类DRAM标准 8

图6:HBM1（第一代） 9

图7:AMDR9FuryX主要参数 9

图8:HBM2（第二代） 10

图9:HBM2E（第三代） 10

图10:HBM3（第四代） 11

图11:HBM历代技术性能对比 12

图12:SKHynixHBM3E 13

图13:美光HBM3E 13

图14:美光HBM3E性能提升 13

图15:SKHynixTSV技术示意 14

图16:SKHynixTSV应用于HBM示意 15

图17:SKHynix基于机器学习技术的信号线路优化 16

图18:SKHynixPVT感知时序优化技术 16

图19:MordorIntelligence预测高带宽内存市场规模 17

图20:HBM龙头SKHynix的供应链 18

图21:澜起科技PCIe芯片应用场景 21

图22:澜起科技CXL内存扩展控制器（MXC）芯片应用场景 22

表目录

表1:目前搭载HBM和GDDR的相关GPU 4

表2:JEDEC发布HBM3高带宽内存标准更新 11

表3:澜起科技DDR5内存接口芯片产品列表 20

高带宽存储（HBM）算力GPU核心硬件

HBM是高性能计算卡的核心组件之一

生成式人工智能大模型催生对高性能存储的需求，我们认为HBM需求有望随着智算中心的快速建设而攀升。根据SKHynix官网资料，2021年SKHynix开发出全球首款第三代HBMDRAM，并于2022年量产。HBM3是第四代HBM(HighBandwidthMemory)技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，作为高价值产品其主要是提高数据处理速度。HBM3能够每秒处理819GB的数据，与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。我们认为，HBM3将搭载于高性能数据中心，有望适用于提高人工智能生成相关的机器学习，故其应用标志着高性能存储在数据中心的应用迎来新时

代。

图1:SKHynix12层HBM3产品提供24GB容量

资料来源：SKHynix官网，甬兴证券研究所

SKHynix已为英伟达供应HBM3，搭配英伟达的H100计算卡；并已开发出HBM3E，预计将应用于GH200计算卡。根据英伟达官网资料显示，H100GPU已使用188GBHBM。根据半导体产业纵横援引BusinessKorea报道，2023年6月，SKHynix已收到英伟达的下一代HBM3EDRAM样品请求，英伟达宣布其采用增强型HBM3EDRAM应用于新一代加速卡GH200GPU。在速度方面，HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于每秒处理230多部5GB大小的全高清电影。此外，HBM3E采用先进质量回流成型底部填充（MR-MUF）尖端技术，散热性能提高了10%。根据SkHynix官网报道，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E，将在2024年3月末开始向客户供货。

HBM市场成长率高，HBM3和HBM3E2024年或将成为市场主流，预计2024年市场规模将达到25亿美元。根据电子发烧友网援引TrendForce集邦报告，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024