现代半导体器件物理与工艺（全套课件） 下.pptx

本章内容;p-n结(junction)：由p型半导体和n型半导体接触形成的结．;p-n结形成之前

，p型和n型半导体材

料是彼此分离的，其费米能级在p型材料中接近价带边缘，而在n型材料中则接近导带边缘．p型材料包含大浓度的空穴而仅有少量电子，但是n型材料刚好相反。;;对个别的带电载流子而言，电场的方向和扩散电流的方向相反．图下方显示，空穴扩散电流由左至右流动，而空穴漂移电

流因为电场的关系由右至左移动．电子扩散电流由右至左流动，而电子漂移电流移动的方向刚好相反

．应注意由于带负电之故

，电子由右至左扩散，恰与电流方向相反．;平衡费米能级(equilibriumFermilevels)：

在热平衡时，也就是在给定温度之下，没有任何外加激励，流经结的电子和空穴净值为零．因此，对于每一种载流子，电场造成的漂移电流必须与浓度梯度造成的扩散电流完全抵消．即;将上式，即;;;;空间电荷(spacecharge)：

由中性区移动到结，会遇到一窄小的过渡区，如左图所示．这些掺杂离子的空间电荷部分被移动载流子补偿．越过了过渡区域

，进入移动载流子浓度为零的完全耗尽区，这个区域称为耗尽区(

空间电荷区)．对于一般硅和砷化镓的p-n结，其过渡区的宽度远比耗尽区的宽度要小．因此可以忽略过渡区，而以长方形分布来表示耗尽区，如右图所示，其中xp和xn分别代表p型和n型在完全耗尽区的宽度。;在p=n=0时．式;例1:计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其NA＝1018cm-3和ND＝1015cm-3．

解 由式;耗尽区(abruptjunction)

为求解泊松方程式，必须知道杂质浓度分布．需要考虑两种重要的例子，即突变结(abruptjunction)和线性缓变结(1inearlygradedjunction)．

突变结：如图，突变结是浅扩散或低能离子注入形成的p-n结．结的杂质分布可以用掺杂浓度在n型和p型区之间突然变换来近似表示．;在耗尽区域，自由载流子完全耗尽，泊松方程式;其中Em是存在x＝0处的最大电场;将?

和?

对耗尽区积分，可得到总电势变化，此即内建电势Vbi：;单边突变结(one—sideabruptjunction)

当p-n结一侧的掺杂浓度远比另一侧高的突变结为单边突变结

图(a)和(b)分别显示单边突变p-n结及其空间电荷???布

，其中NAND．在这个例子

，p侧耗尽层宽度较n侧小很多(也就是xpxn).

W的表达式可以简化为;电场分布的表示式仍为：;再一次积分泊松方程式，可得到电势分布：;例2：一硅单边突变结，其NA＝1019cm-3，ND=1016cm-3，计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T＝300K)．

解：由;前面讨论的是对于在一热平衡没有外加偏压的p-n结，如图(a)所示，其平衡能带图显示横跨结的总静电电势是Vbi．从p端到n端其对应的电势能差是qVbi。

假如我们在p端加一相对于n端的电压VF，p-n结变成正向偏压，如图(b)所示．跨过结的总静电电势减少VF，

亦即成为Vbi-VF．因此

，正向偏压降低耗尽区宽度．;反之，如图(c)所示，如果在n端加上相对于p端的正向电压VR，p-n结成为反向偏压，且跨过结的总静电电势增加了VR，亦即成为Vbi+VR．可见，反向偏压会增加耗尽区宽度．将这些电压代入式;;;;可得线性缓变结的内建电势：;当正向偏压或反向偏压施加在线性缓变结时

，耗尽区的宽度变化和能带图会和突变结相似．

耗尽区宽度随(Vbi-V)1/3变化

.如果是正向偏压，V是正值；

如果是反向偏压

，V是负值．;例3：对于一浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽区宽度为0.5?m。计算最大电场和内建电势(T＝300K)．

解： 由;耗尽层势垒电容(depletionlayercapdcitance)

单位面积耗尽层势垒电容定义为:;在图(b)中，耗尽区两侧电荷分布曲线的上色部分表示电荷增量．n侧或p侧的空间电荷增量相等，而其电荷极性相反，因此总体电荷仍然维持中性．电荷增量造成电场增加，

且dE=dQ/?．图(c)表示对应的电场分布变化，由于外加电压增量dV=WdE=WdQ/?，因此，单位面积的势垒电容为;得到;根据

将1/Cj对V作图，可以得到一直线．由其斜率可求出基体的

2

杂质浓度NB，而由与V轴交点(在1/Cj ＝0)可求出Vbi．

2

例4：对一硅突变结，其中NA＝2×1019cm-3，ND＝8×1015cm-3

，计算零偏压和反向偏压4V时的结电容(T＝300K)．

解： 由;可得到在零偏压时;杂质分布计算(evaluation