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光刻工艺技术培训
;光刻培训流程;;;;光刻基本知识;掩膜板/光罩
1、掩膜板的分类：
(1)光掩膜板（PhotoMask）包含了整个衬底片的芯片图形特征，进行1：1图形复制。该掩膜板用于接近式光刻和扫描对准投影机中;
(2)投影掩膜板（Reticle）。只包含衬底片上的一部分图形（例如四个芯片），一般为缩小比例（一般为4：1）。需要步进重复来完成整个硅片的图形复制。
投影掩膜板的优点：投影掩膜板的特征尺寸较大（4×），掩膜板制造更加容易；掩膜板上的缺陷会缩小转移到硅片上，对图形复制的危害减小；使曝光的均匀度提高。
;光刻胶
光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。;;;光刻基本工艺流程;清洗;表面处理;滴胶——加速旋转——甩胶——溶剂挥发;胶膜常见问题1;胶膜常见问题2;前烘（软烘）;烘烤过度:减小光刻胶中感光成分的活性
前烘不足：光刻胶中的溶剂不能完全被蒸发掉，这将阻碍光对胶的作用并且影响到其在显影液中的溶解度（如下图）
肌肤效应：烘烤温度过高，胶表面形成一层“皮肤”，内部的溶剂不易挥发;;接触式曝光和接近式曝光;;套刻和对准;后烘;显影;;坚膜;坚膜常见问题：
1.烘烤不足（Underbake）：减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；
2.降低针孔填充能力（GapfillCapabilityfortheneedlehole）：降低与基底的黏附能力。
3.烘烤过度（Overbake）：引起光刻胶的流动，使图形精度降低，分辨率变差。
4.通常会增加将来去胶的难度。;去胶;AZ1500;QA;QA
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