模拟电子技术课程复习提纲(复习必备).docx

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模拟电子技术课程复习提纲(复习必备)

第一章半导体器件

§1.1半导体基础知识

1、本征半导体:本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理;

2、杂质半导体:杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多数载流子、少数载流子;

3、PN结:PN结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN结的本质、PN结的单向导电特性;

4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN结导电能力的影响;

5、PN结的伏安特性:)1(-=TUuSDeII,当T=300K时mVUT26=,伏安特性曲线:反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区;

6、PN结的反向击穿特性:击穿类型、击穿原因(雪崩击穿、齐纳击穿);

7、PN结的电容效应:势垒电容CT、扩散电容CD,PN结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管

1、二极管的结构、分类、符号;

2、二极管的伏安特性:)1(-=TDUuSDeII,

⑴正向特性:死区开启电压Uth=0.5V(Si)、0.1V(Ge),正向导通电压UD(on)=0.7V(Si)、0.2V(Ge),⑵反向特性:反向截止区,反向击穿区;

3、二极管的温度特性;

4、二极管的参数及其含义:FI、RU、RI、Mf、DR、dr、DQ

DTDImVIUr)(26≈=;5、二极管的等效模型:理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号(微变等效)模型(注意微变等效模型的应用条件);

6、二极管电路的分析方法:⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法(在Q点附近iu幅度较小时使用)、⑷微变等效电路分析法;

7、稳压二级管:稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算;

8、二极管应用(单向导电特性、二极管导通截止的判断)⑴静态工作分析、⑵整流电路(单管半波整流、双管全波整流、桥式整流)、⑶限幅电路(串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅)、⑷门电路;

9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数,发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。

§1.3半导体三极管

1、三极管的结构(结构特点)、类型、符号、分类;

2、三极管放大的条件:内部条件、外部条件,三种放大电路;

3、根据三极管各极电压判断三极管类型、工作状态;

4、共发射极三极管放大状态内部载流子的传输过程;

5、共发射极三极管放大状态电流分配关系,α、β的定义、物理意义及关系;

6、三极管输入特性曲线、输出特性曲线,输入特性的三个区域及特点,温度对特性曲线的影响;

7、三极管的主要参数:⑴放大倍数α、β,⑵极间电流CBOI、CEOI,⑶极间反向击穿电压CBOBRU)(、CEOBRU)(、EBOBRU)(,⑷极限参数CMI、CMP,⑸频率相关参数βf、Tf;

第二章放大电路分析基础

§2.1放大电路工作原理

1、放大电路的组成原则及各元器件作用;

2、放大电路的直流通路与交流通路;

§2.2放大电路的直流工作状态(以直流通路为基础)

1、什么是静态工作点、静态工作点在放大电路中的作用;

2、解析法确定静态工作点;

3、图解法确定静态工作点:⑴输入直流负载线、⑵输入直流负载线、⑶静态工作点的确定、⑷电路中各参数对静态工作点的影响;

§2.3放大电路的动态分析(以交流通路为基础)

1、图解法分析动态特性:⑴交流负载线的作法、⑵交流负载线与直流负载线的关系、⑶交流信号的图解解析、⑷放大电路的非线性失真的原因及其表现、⑸如何通过图解法确定放大电路的最大不失真输出电压;

2、三极管的微变等效模型:⑴三极管的H参数等效模型、⑵该模型参数的确定、⑶使用时应注意的问题;

3、三种基本放大电路分析:⑴分析步骤、⑵微变等效电路及参数计算:放大倍数uA、usA、iA、pA,输入电阻ir,输出电阻or、⑶共发射极放大电路最大不失真输出的条件及相关参数的计算;

4、三种基本放大电路的比较;

§2.4静态工作点的稳定及其偏置电路

1、温度对三极管静态工作点的影响;

2、射极偏置电路的组成、静态工作点稳定过程;

3、射极偏置电路的直流通路及静态工作点估算;

4、射极偏置电路的动态分析:交流通路、微变等效电路、性能指标参数计算;

5、射极偏置电路变型电路的动态分析(电容Ce对电路性能的影响)可以采用负反馈的方式分析;

6、固定偏流电路与射极偏置电路的比较;

§2.5多级放大电路

1、多级放大电路的组成要求;

2、多级放大电路对耦合的要求、耦合方式、各种耦合方式的优缺点;

3、直接耦合电平移位问题及解决方法、零点漂移问题及零点漂移的衡量方法、静

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