IGBT模块：技术、驱动和应用课件：射频震荡.ppt

*BARITT通常作为微波振荡器的激发器件。在这种应用中，二极管的一个pn结稍微正偏，而另一个pn结则稍微反偏。只要外部电压低于临界穿透电压，由于反偏pn结的作用，会产生一个很小的阻断电流。当外部电压达到穿透电压时空间电荷区的就会通过n区延伸到正偏的pn结。这时，由于热激发导致少子（空穴）穿过pn结到达n区，所以二极管的电流急剧上升。由于半导体内的电荷流动及电压传输的滞后会形成一个等效的负微分电阻。如果该负微分电阻大于谐振回路中的等效正电阻，那么就会产生振荡。PETT的机理跟BARITT的机理相类似。不同之处在于空间电荷区并没有延伸到另一个pn结因而无法放电。那些n区剩余的离子由于没有被空间电荷区所复合，则转化为载流子，这也是形成拖尾电流载流子的来源。流过半导体的电流由进入空间电荷区的载流子形成。在特定情况下，比如负微分电阻大于谐振回路中的等效正电阻，这将会引发振荡。*IGBT模块：技术、驱动和应用射频振荡*IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBTModules–Technologies,DriverandApplication目录3124简介短路振荡IGBT关断振荡拖尾电流振荡5小结简介反馈路径：寄生电容（密勒电容）和杂散电感IGBTModules–Technologies,DriverandApplication如果反馈相移，系统的放大倍数会增大并可能导致振荡。IGBT等效为一个共射极放大器IGBT和寄生元件行程LC振荡短路振荡IGTBModules–Technologies,DriverandApplicationSC1短路振荡SC2短路振荡5IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT振荡影响IGBT短路振荡的参数短路振荡IGBT设计、制造过程中的参数优化：IGBTModules–Technologies,DriverandApplication?IGBT模块布局对振荡特性的影响（SC1短路）IGBT关断振荡IGBT关断振荡的机理IGBTModules–Technologies,DriverandApplication正反馈导致振荡IGBT关断振荡影响IGBT关断振荡的参数IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT关断振荡调整内部栅极电阻选择低CGC和高CGE的IGBT芯片并联时优化模块内部布局并联连接时优化IGBT模块外部连接布局IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT在研发阶段需要采取的针对措施：IGBT关断振荡模块布局对IGBT关断特性的影响IGBTModules–Technologies,DriverandApplication拖尾电流振荡IGBTModules–Technologies,DriverandApplicationIGBT关断时拖尾电流振荡二极管关断时拖尾电流振荡拖尾电流振荡IGTBModules–Technologies,DriverandApplication剩余载流子(只有空穴)PETT振荡机理BARITT振荡机理*BARITT通常作为微波振荡器的激发器件。在这种应用中，二极管的一个pn结稍微正偏，而另一个pn结则稍微反偏。只要外部电压低于临界穿透电压，由于反偏pn结的作用，会产生一个很小的阻断电流。当外部电压达到穿透电压时空间电荷区的就会通过n区延伸到正偏的pn结。这时，由于热激发导致少子（空穴）穿过pn结到达n区，所以二极管的电流急剧上升。由于半导体内的电荷流动及电压传输的滞后会形成一个等效的负微分电阻。如果该负微分电阻大于谐振回路中的等效正电阻，那么就会产生振荡。PETT的机理跟BARITT的机理相类似。不同之处在于空间电荷区并没有延伸到另一个pn结因而无法放电。那些n区剩余的离子由于没有被空间电荷区所复合，则转化为载流子，这也是形成拖尾电流载流子的来源。流过半导体的电流由进入空间电荷区的载流子形成。在特定情况下，比如负微分电阻大于谐振回路中的等效正电阻，这将会引发振荡。*