- 1、本文档共1页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称:基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪
专利类型:发明专利
发明人:郭述文
申请号:CN201210094531.2
申请日
公开号:CN102607543A
公开日
摘要:本发明涉及一种基于硅通孔技术的硅晶圆直接键合的微机械陀螺仪,其包括硅-硅直接键合
的三层硅晶圆层,依次为固定电极晶圆层、质量块晶圆层、封盖晶圆层;固定电极晶圆层为通孔硅晶
圆层,其具有多个垂直于通孔硅晶圆层的通孔硅电极,相邻的通孔硅电极之间具有垂直于通孔硅晶圆
层的通孔硅绝缘层;质量块晶圆层包括一对左右对称的扇形质量块,扇形质量块形成质量块电极,质
量块晶圆层采用硅-硅直接键合方式通过单锚点对称悬挂于固定电极晶圆层的下方;质量块电极与通孔
硅电极形成可变电容的两个极。本发明采用通孔硅作为可变电容传感器结构的电极材料并采用硅-硅直
接键合方式,可将热应力降至最小,还提升了传感器的性能。
申请人:苏州文智芯微系统技术有限公司
地址:215000江苏省苏州市高新区科创路18号
国籍:CN
代理机构:苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人:孙仿卫
更多信息请下载全文后查看
文档评论(0)