一种透明导电金属薄膜及其制备方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102051578A

(43)申请公布日2011.05.11

(21)申请号CN201110023116.3

(22)申请日2011.01.20

(71)申请人北京航空航天大学

地址100191北京市海淀区学院路37号

(72)发明人毕晓昉李颖黄钦

(74)专利代理机构北京永创新实专利事务所

代理人官汉增

(51)Int.CI

C23C14/06

C23C14/14

C23C14/35

C23C14/58

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种透明导电金属薄膜及其制备方

法

(57)摘要

本发明提出一种透明导电金属薄膜

及其制备方法，通过磁控溅射方法，该薄

膜的材料为非晶态的金属铜，该透明导电

金属薄膜厚度为7～30nm，电阻率为10

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种透明导电金属薄膜，其特征在于：所述的透明导电金属薄膜的材料为非晶态

的金属铜，厚度为7～30nm。

2.根据权利要求1所述的一种透明导电金属薄膜，其特征在于：所述的透明导电金

属薄膜具有双层结构，外层是氧吸附层，厚度为3～5nm，内层为纯金属Cu层。

3.根据权利要求2所述的一种透明导电金属薄膜，其特征在于：所述的透明导电金

属薄膜的电阻率为5.2×10sup-5/sup～3.5×10sup-4/supΩcm，透光率为

32～85％。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种透明导电金属薄膜，其特征在于：所述的透

明导电金属薄膜的厚度为7～12nm，透光率为78～85％。

5.一种透明导电金属薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤：

步骤一：准备基片并清洗基片；

步骤二：将基片固定在磁控溅射的样品台上，放入磁控溅射仪的真空室；

步骤三：将Cu靶放入真空室，固定在靶位上；

步骤四：将磁控溅射仪的真空室抽真空，当真空室的真空度达到预定值4.0～

5.0×10sup-4/supPa后，向真空室中充入高纯Ar气，待真空室内气体压力稳定

在1.0～3.5Pa，打开射频电源加电压300～500V，开始沉积；

步骤五：控制沉积时间达到28～120s后，停止沉积，制备出透明导电金属薄膜；

步骤六：将制备出的透明导电金属薄膜在空气中静置3～20h，温度稳定在10～

30℃，完成氧化处理。

6.根据权利要求5所述的一种透明导电金属薄膜的制备方法，其特征在于：所述的

基片为7095玻璃基片、石英基片或NaCl单晶基片。

7.根据权利要求5所述的一种透明导电金属薄膜的制备方法，其特征在于：所述的

步骤一中清洗基片具体为：将基片先使用丙酮超声清洗并吹干，再用乙醇溶液超声

清洗并吹干。

8.根据权利要求7所述的一种透明导电金属薄膜的制备方法，其特征在于：所述的

丙酮超声清洗和乙醇溶液超声清洗各洗一遍以上。

9.根据权利要求5～8任意一项所述的一种透明导电金属薄膜的制备方法，其特征

在于：所述的基片的厚度为0.5～2mm。

说明书

技术领域

本发明属于透明导电膜光电技术领域，具体涉及一种透明导电金属薄膜及其制备方

法。

背景技术

在近几年，透明导电薄膜的制备得到了极大的发展，称为半导体技术领域的研究热

点之一。透明导电薄膜是一类禁带宽度在3.0eV左右的宽禁带半导体，经过元素掺

杂使得电阻率处在10sup-4/sup～10sup-3/supΩcm的材料，这类材料对可

见光的透光率在85％左右，使得它们可以作为硅太阳能电池的上电极；还可以用

于液晶显示，电致发光领域中作为透明电极(详见参考文献1：O.Nakagawa，