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Au(111)衬底上锑薄膜结构和电子性质的研究.pdf

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    摘要

    石墨烯研究的蓬勃发展，激起了二维材料领域的理论预测和实验研究。由于单层

    石墨烯的带隙限制，与C元素相邻的第四主族和第五主族单元素材料受到了人们的关

    注。这些类石墨烯材料不仅拥有与石墨烯类似的性质，自身还存在独特的优良性能。

    比如：具有强的自旋轨道耦合以及可调控的带隙。锑烯就是其中具有半导体电子性能-

    的极具发展前景的二维材料之一。锑烯具有较高载流子迁移率、拓扑非平庸态、量子

    自旋霍尔效应和可调控的带隙等优良电学特性。制备锑薄膜大部分研究都是采用分子

    束外延技术(MBE)，这种方法可以通过控

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