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AlTe薄膜的外延生长与电子性质研究.pdf

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    摘要

    原子级层状结构的Ⅲ-Ⅵ族金属硫族化合物是一类新兴的材料，由于其独特的“墨西

    哥帽”形电子能带结构和它们不同于其他二维材料的优异光学和电子性能引起了人们的

    广泛关注。如GaSe和InSe两种物质对光照具有极强的反应度，并且其光响应率也非常

    高，因此它们在光电传感器和光电探测器领域具有十分广阔的前景。理论预言Ⅲ-Ⅵ族

    金属硫族化合物中的AlTe是间接带隙半导体，具有1.84eV的带隙，同时具有较高的热

    电转换效率，是一种优异的热电、光电材料。而实验上AlTe薄膜的研究相对较少，因

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