锌锡氧化物沟道层的制备及表征.docx

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2024-11-24 发布于广东
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锌锡氧化物沟道层的制备及表征.docx

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第1章绪论

1.1研究背景

进入21世纪以来，信息技术不断发展，其中平板显示技术作为输出载体成为人们研究关注的对象，在众多平板显示技术中，以薄膜晶体管（TFT）为开关元件的有源阵列驱动显示器件成为了当前市场上的主流显示技术。薄膜晶体管主要由基底、栅电极、绝缘层、沟道层和源/漏电极等几个重要组成部分（见图1-1所示），其中半导体沟道层对薄膜晶体管的性能有着十分重要的影响[1]。

目前，广泛应用于有源阵列的TFT是以传统硅基半导体材料（具体为非晶硅和低温多晶硅）作为沟道层的TFT技术。传统的非晶硅薄膜晶体管有许多缺点，比如，由于非晶硅的不透明性导致其开口率较低，影响了像素点的亮度。另外，非晶硅