《电工电子技术与应用》主题9 常用半导体器件练习册答案 .pdfVIP

主题9常用半导体器件

课题1二极管

一.判断题

1.×2.√3.√4.×5.√6.√7.×8.√

二.选择题

1.D2.A3.B4.B5.D

三.填空题

1．正负

2.单向导电性正向导通反向截止

3.0.3V0.7V,

4.0∞

5.反向击穿现象

6.锗管硅管

四.问答题

用万用表的欧姆挡，对于小功率管一般选用“R×100Ω”挡或“R×1kΩ”挡，测量出二

极管的两次电阻值，电阻值小的那一次为二极管的正向电阻，此时黑表笔（接“－”极）所

接的就是的正极。如果两次测量的阻值都很小，说明二极管已经击穿；如果两次测量的阻值

都很大，说明二极管内部已经断路。

五.分析计算题

1.解：二极管因正向电阻太小，导致正向电流过大，会烧毁二极管。

1.5V0.7V

I8mA

100

2.解：当UI=+3V时，V截止，U0＝＋3V；

当UI=－3V时，V导通，U0＝-0.7V；

当UI=0V时，V截止，U0＝0

3．U1=U2,I1＞I2



06V

I30mA

4.V1导通，V2截止，200。

课题2三极管

一.判断

1.×2.×3.×4.√5.×6.×

二.选择

1.C2.C3.D4.B5.D6.C7.B8.C9.B10.C11.D12.B

三.填空

1.薄低高大低

2.基集电发射bce

3.基极集电极4.放大饱和截止

5.放大饱和截止6.增大好7.基极集电极发射极降低

8.下降β下降击穿损坏9.＞＞＜＜10.放大截止饱和

四.问答

1.不可以对调使用，因为集电区和发射区的掺杂浓度不一样。

2.上面说法不完全对，当ICICM时，将引起β值下降，管子不会坏；当UCEU(BR)CEO时，

将引起管子击穿，在短时间下管子不会坏；当PCPCM时，将引起管子烧坏。

3.管子工作于放大状态可以确定β值，管子工作于饱和状态不能确定β值。

五.分析计算

1.解：（1）I=4mA＋50μA＝4.05mA电流方向向下。

（2）NPN型

（3）1为基极，2为集电极，3为发射极。

4mA

80



50A

（4）。

2.解：（1）能安全工作，因为ICICM.UCEU(BR)CEO，PCPCM。

（2）不能安全工作，因为PCPCM。

（3）不能安全工作，ICICMPCPCM

（4）不能安全工作，UCEU(BR)CEO。

I3.4mA2.4mA

C

100



I30A20A

3.解：B,



IIIIII2.4mA10020A0.4mA

CBCEOCEOCB

I0.4mA

CEO

