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士兰微电子SVSP11N65FJHD2说明书

11A,650V超结MOS功率管

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描述

SVSP11N65FJHD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微

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电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功

率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

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此外，SVSP11N65FJHD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

1.栅极2.漏极3.源极

特点

11A,650V,RDS(on)(典型值)=0.33@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

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定期额定雪崩23

TO-220FJH-3L

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP11N65FJHD2TO-220FJH-3LP11N65FJH无卤料管

极限参数(除非特殊说明，T=25C)

A

参数符号参数值单位

漏源电压VDS650V

栅源电压VGS±30V

T=25°C11

C

漏极电流IDA

T=100°C7

C

漏极脉冲电流IDM44A

耗散功率(T=25C)35W

C

PD

-大于25C每摄氏度减少0.28W/C

单脉冲雪崩能量（注1）EAS