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1ProtectiveMolecularPassivationofBlackPhosphorous
FengnianXia参与的文章。用OTS表面自组方法装处理bulk黑磷材料场效应管,发
现在没有明显载流子掺杂的情况下,对材料氧化有良好的钝化作用,放置四周时间
时间,对比未处理器件,器件性能无显著降低。
2TrionValleyCoherenceinMonolayerSemiconductors
文章应用超快二维想干光谱在单层MoSe2种产生并检测到了带电激子谷,并证
明其能持续存在几百fs。
3OpticalValleyHallEffectbasedonTransitionalMetalDichalcogenidecavitypolaritons
理章。计算了活动区域含单层tmd材料的一个平面微腔中旋转激子/极化子的
色散关系,发现极化态导致的disoder散射的降低可以促使光学谷霍尔效应的产生。
4Cross-planeenhancedthermoelectricityandphononsuppressioningraphene/MoS2van
derWaalsheterostructures
理章,计算了graphene/MoS2/graphene异质结的电子/声子输运及相关热电性质。
5RoomTemperatureFormationofCarbonOnionsviaUltrasonicAgitationofMoS2in
Isopropanol
文章介绍了一种用ipa中超生震荡分散有限层硫化钼的方法,同时也能用来室温下
carbononions.
6Observationofspin-polarizedbandsanddomatFermiarcsinpolarWeyl
semimetalMoTe2
文章结合激光ARPES和理论计算,通过非极化-极化结构相转变,研究在weyl半
金属1T’-MoTe2的表面电子结构,结果表明其弧在多晶表面一端的weyl节点
处相同对相连接。
7Atunableelectronicbeamsplitterrealizedwithcrossedgraphenenanoribbons
理章,用第一性原理输运计算研究了两条crossed扶手形石墨烯纳米带构成的4
端器件,实现了一个可调控splitter。
8Non-MonotonicTemperatureDependenceofCoulombDragPeaksinGraphene
理章。文章对石墨烯中的库伦drag进行理论计算,发现载流子密度中的空间不
均一性提高了drag峰值和温度关系之间的非单一性,并于实验熟知定量符合。
9Transductionbetweenelectricalenergyandtheheatinacarbonnanotubeusingavoltage-
controlleddoping
文章给碳管晶体管旁边增加四个侧栅,通过增加器件载流子密度不仅增加了颠倒和
seeback系数,并由于增强了声子-电子碰撞而对k值有了显著。并在该cnt器件
中发现了显著的热/电转换效应。
10Currentcrowdingdriven-largecontactnoiseinhigh-mobilitygraphenetransistors
文章研究了在不同器件结构和接触方式下,高迁移率(5000~8000)石墨烯晶体管的
接触噪声。
11ValleyHallEffectandNonlocalTransportinStrainedGraphene
理章。Strained石墨烯中的谷霍尔效应及其nonlocal输运。
12Spin-valleydynamicsofelectricallydrivenambipolarcarbon-nanotubequantumdots
理章,双极型碳管量子点自旋
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