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模拟电子技术试题库与答案
一、单选题(共103题,每题1分,共103分)
1.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。
A、三价;
B、六价。
C、四价;
D、五价;
正确答案:A
2.集成运放工作在非线性应用电路时,()的概念不再适用。
A、基准
B、虚短
C、虚断
D、虚地
正确答案:B
3.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。
A、仍为正弦波。
B、等腰三角波;
C、矩形方波;
D、正弦半波;
正确答案:D
4.差分放大电路利用其对称性,可以有效地抑制零点漂移现象。
A、正确;
B、错误
正确答案:A
5.微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()
A、错
B、对:
正确答案:A
6.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路,则电路中晶体三极管处于()。
A、截止状态;
B、饱和状态;
C、放大状态。
正确答案:B
7.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、反向击穿区。
正确答案:A
8.场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。
A、多子
B、自由电子载流子
C、少子
D、空穴载流子
正确答案:A
9.若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()
A、发射结正偏、集电结正偏
B、发射结正偏、集电结反偏
C、发射结反偏、集电结正偏
D、发射结反偏、集电结反偏
正确答案:B
10.绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A、为零;
B、较小;
C、无法判断。
D、较大;
正确答案:A
11.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()
A、正确;
B、错误
正确答案:B
12.在本征半导体中加入_____元素可形成P型半导体。
A、四价
B、三价
C、五价
正确答案:B
13.集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。
A、虚短和虚地
B、虚断和虚地
C、线性和非线性
D、虚短和虚断
正确答案:D
14.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()
A、错
B、对:
正确答案:B
15.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。
A、放大电路的电压增益;
B、不失真问题;
C、管子的工作效率。
正确答案:B
16.N型半导体中的多数载流子是()
A、负离子
B、空穴
C、正离子
D、自由电子
正确答案:D
17.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.6mA和3.66mA,该晶体管的β等于()
A、50
B、60
C、61
D、100
正确答案:B
18.二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。
A、正确;
B、错误
正确答案:B
19.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。()
A、正确;
B、错误
正确答案:B
20.放大电路中的所有电容器,起的作用均为通交隔直。()
A、对:
B、错
正确答案:A
21.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为()失真。
A、交越
B、饱和
C、频率
D、截止
正确答案:B
22.P型半导体中的少数载流子是()
A、负离子
B、自由电子
C、正离子
D、空穴
正确答案:B
23.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()
A、对:
B、错
正确答案:B
24.稳压二极管的正常工作状态是()。
A、任意状态
B、反向击穿状态
C、导通状态
D、截止状态
正确答案:B
25.低频小信号放大电路中,输入、输出具有反相关系的放大电路是()
A、共基放大电路
B、共射放大电路
C、共漏放大电路
D、共集放大电路
正确答案:B
26.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。
A、放大电路的电压增益
B、管子的工作效率
C、不失真问题
正确答案:C
27.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是()。
A、稳压二极管
B、光电二极管
C、变容二极管
D、发光二极管
正确答案:A
28.普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()
A、错误
B、正确;
正确答案:A
29.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM
B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO
C、集电极最大允许耗散功率PCM
D、管子的电流放大倍数
正确答案:C
30.理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。
A、∞;
B、0;
C、不定。
正确答案:A
31.差动放大电路利用其对称性,可以有效地抑制零点漂移现象。()
A、对:
B、错
正确答案:A
32.P型半导体中多数载流子是______。
A、自由电子
B、空穴
C、PN结
正确答案:B
33.晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。()
A、错
B、对:
正确答案
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