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碳化硅外延层中的缺陷主要有以下几种:
1.衬底缺陷,包括微管、贯穿螺型位错(TSD)、贯穿刃型位错(TED)、
基平面位错(BPD)等。其中,最常见的缺陷是被称为“微管”的缺
陷,特征尺寸为30~40μm的三维微管或者称为“针孔”的缺陷。大
多数的微管是由聚集在一起的几个螺形位错形成的,导致“微管”常
被称为“器件杀手缺陷”,也是碳化硅器件研制过程的主要缺陷。
2.在碳化硅外延层形成过程中会形成不同的表面缺陷。
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