碳化硅单晶、碳化硅晶片和半导体器件 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103635615A

(43)申请公布日2014.03.12

(21)申请号CN201280023709.2

(22)申请日2012.05.16

(71)申请人株式会社电装;丰田自动车株式会社

地址日本爱知县

(72)发明人郡司岛造浦上泰安达步

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

代理人陈建全

(51)Int.CI

C30B29/36

H01L29/161

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

碳化硅单晶、碳化硅晶片和半导体

器件

(57)摘要

本发明为具有基底面位错的直线性

高并且基底面位错向结晶学上等价的三个

11-20方向取向的一个或两个以上的取向

区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单

晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样

的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶

部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏

斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生

长来制造。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种碳化硅单晶，其具备以下构成：

（1）所述碳化硅单晶具有至少一个以上的取向区域，所述取向区域的

基底面位错的直线性高，并且所述基底面位错向结晶学上等价的三个

lt;11-20gt;方向取向，

（2）所述“取向区域”是指按照以下步骤判定的区域：

（a）由所述碳化硅单晶切出与{0001}面大致平行的晶片；

（b）对所述晶片基于透射配置进行X射线形貌测定，拍摄与结晶学上

等价的三个{1-100}面衍射对应的X射线形貌图像；

（c）将三个所述X射线形貌图像分别变换为将图像内的各点的亮度数

值化而成的数码图像，并且将三个所述数码图像分别划分成一边的长度L

为10±0.1mm的正方形的测定区域；

（d）对与晶片上的同一区域对应的三个所述测定区域中的所述数码图

像进行二维傅立叶变换处理，得到功率谱即傅立叶系数的振幅A的频谱；

（e）将三个所述功率谱分别进行极坐标函数化，求出平均振幅A的角

度依赖性即方向依赖性的函数Asubave./sub(θ，其中，)0°≤θ≤；180°

（f）将三个所述Asubave./sub(θ的)积算值Asubave./sub(描绘θ)成曲线，

对与三个所述lt;1-100gt;方向相当的三个θsubi/sub分

别算出峰值Asubave./sub(θsubi/sub)与背景B.G.(θsubi/sub)之比即

Asubave./sub(θsubi/sub)/B.G.(θsubi/sub)比，其中，当

描绘成曲线时，x轴为θ，y轴为Asubave/sub，并且θsubi/sub=

中的i=1～3；和

（g）当三个所述Asubave./sub(θsubi/sub)/B.G.(θsubi/sub)比都为1.1

以上时，将与三个所述测定区域对应的所述晶片上的区域判定为

“取向区域”。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述取向区域中的至少

一个处于所述碳化硅单晶的除了小面痕以外的区域。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述取向区域中的至少

一个处于所述碳化硅单晶的大致中央部。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其具备与所述碳化硅单晶的小

面痕的距离为Lsub1/sub的第一取向区域和与所述小面痕的距离为

Lsub2/sub的第二取向区