基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103579477A

(43)申请公布日2014.02.12

(21)申请号CN201310534981.3

(22)申请日2013.11.04

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人殷录桥张建华宋鹏张金龙翁菲

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)

代理人陆聪明

(51)Int.CI

H01L33/62

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

基于通孔技术的倒装发光二极管芯

片封装方法

(57)摘要

本发明涉及了一种基于通孔技术的

倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工

艺。本发光二极管包括：倒装LED芯片、

基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前

大功率LED存在的散热缺陷，提供一种基

于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技

术及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光

技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作

出盲孔电极、通孔焊盘，分别实现倒装发

光二极管芯片、通孔基板，通过阻焊层形

状的设计，可方便实现倒装芯片与通孔基

板的自对位，而且本发明无需金丝键合，

不仅工艺简单、成本低，而且此技术通过

通孔提高了散热性能，提高了LED芯片封

装的可靠性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，其特征在于，其工艺步骤如

下：

1）在蓝宝石衬底（7）上依次生长n型GaN（6）、发光层（5）、p型GaN（4）、

ITO电流扩展层（3）、反光层（2），完成发光二极管芯片制作；

2）通过刻蚀技术或者激光技术分别在发光二极管芯片上制作盲孔，在硅基板（18）

上制作通孔；然后通过物理化学气相沉淀法分别在芯片的盲孔周壁上制作芯片绝缘

层（1），在硅基板（18）的通孔周壁上制作基板绝缘层（15），将芯片盲孔底面

的芯片绝缘层（1）通过等离子刻蚀法刻蚀掉，露出n型GaN（6）；再通过蒸镀

法分别在芯片的盲孔的芯片绝缘层（1）内制作n电极金属导柱（10）、p电极金

属导柱（11），在硅基板（18）的通孔的基板绝缘层（15）内制作基板电极金属导

柱（16）；

3）通过蒸镀技术分别在芯片电极表面制作n电极焊盘（8）、p电极焊盘（9），

在硅基板（18）表面制作基板上表面金属线路层（14）、背面正电极焊盘（17）、

散热焊盘（19）、背面负电极焊盘（20）；

4）通过丝网印刷技术在基板上表面金属线路层（14）上进行阻焊层（13）的制作，

然后将发光二极管芯片、硅基板（18）切割成所需要的尺寸；

5）通过丝网在硅基板（18）上表面金属线路层（14）上进行锡膏印刷，将发光二

极管芯片倒装放置在该锡膏上，然后进行回流焊接工艺，完成倒装发光二极管芯片

与硅基板（18）的互连；其中n型GaN（6）与p型GaN（4）分别通过n电极金

属导柱（10）、p电极金属导柱（11）与n电极焊盘（8）、p电极焊盘（9）连接；

n电极焊盘（8）、p电极焊盘（9）与硅基板（18）上的基板上表面金属线路层

（14）连接在一起；基板上表面金属线路层（14）通过基板电极金属导柱（16）连

接至硅基板（18）的背面正电极焊盘（17）、背面负电极焊盘（20）；

6）将荧光层（12）与蓝宝石衬底（7）粘结在一起；

7）灌封胶灌封完成整个发光二极管器件的封装。

2.根据权利要求1所述的基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，其特征在

于，对所述的蓝宝石衬底（7）通过减薄并进行表面微结构制作，微结构的尺寸为：

直径50-550nm、间距200-1600nm、高度50-300nm。

3.根据权利要求1所述的基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，其特征在

于，所