LED光电器件覆晶倒装焊产业化的关键技术研究 .pdfVIP

2015NO.22科技资讯

工业技术SCIENCETECHNOLOGYINFORMATION

DOI:10.16661/j.cnki.1672-3791.2015.22.073

LED光电器件覆晶倒装焊产业化的关键技术研究

黄建民

(江西联创光电科技股份有限公司江西南昌330096)

摘要:该文主要是功率型GaN基LED光电器件覆晶倒装焊产业技术进行了研究,介绍了LED光电的发展历程、产品应用及技术,

对进行的研究方法及技术路线以及解决的关键问题进行了介绍。

关键词:白光LED光电器件覆晶倒装焊

中图分类号:TN31文献标识码:A文章编号:1672-3791(2015)08(a)-0073-02

1国内外技术发展及现状可以有效地提高光提取效率;另一方面,金属电极微凸点与导热

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GaN基发光二极管(LED)作为新一代的环保型固态光源,已系数高的硅、金属或陶瓷等基板直接接触,使得电流流通的距离

经成为产业界的关注焦点。1992年,有“蓝光之父”之称的中村修二缩短,电阻减低,热产生量降低,同时这样的结合使得热阻较低,

成功地制备出了Mg掺杂的p型GaN,随后在1993及1995年采用可以很好地提高散热能力。此外,由于没有正面出光处金线的影

InGaN/GaN异质结结构成功制备了高亮度的蓝光LED,并因此响,白光LED产品的荧光粉涂覆工艺相对容易实施,尤其是荧光

而斩获了2014年度的诺贝尔物理学奖。粉喷涂等工艺,其产品的光色一致性都将得到很大的提高。与传

目前,大功率、高亮度的白光LED已经成为了照明领域的发展统封装相比,倒装结构还具有更简单的封装过程、更低的封装成

热点。白光LED发光效率虽然已经达到了170lm/W,但离其理论本、更高的封装良品率等优势。

值250lm/W尚有一定的差距,因此进一步提高其发光效率成为覆晶结构由基板、UBM、焊球及芯片组成。将芯片与基板相

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功率型白光LED的一个关键技术问题。一般来说,提高LED的发连接的方式常采用共晶焊技术(Eutecticwelding)。共晶焊又称

光效率有两种途径,分别是提高其内量子效率及光提取效率。另低熔点合金焊接,具有热导率高、连接电阻小、散热均匀、焊接强

一方面,如何提高散热能力成为了功率型LED器件发展的另一个度高、工艺一致性好等诸多优点,所以特别适用于大功率、有较高

关键技术。散热要求的功率器件的焊接。它的基本特点是:两种不同的金属

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随着LED功率的增大,特别是固态照明技术发展的需求,对可以在远低于各自熔点的温度下按照一定的比例形成合金。常见

LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要倒装LED的共晶金属层一般为Au/Sn合金(Au80Sn20),

求