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Cu掺杂GaFeO薄膜的制备和多铁性能研究

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中文摘要

多铁性材料指的是同时存在铁弹性、铁磁性或铁电性等两种或两种以上性质的材

料，在信息存储、自旋电子设备以及传感器等方面都具有较大的发展潜力。绝大多数

的多铁性材料因为磁电耦合效应较弱或者磁转变温度（Tc）较低而应用受到限制。

GaFeO同时表现出亚铁磁性以及铁电性，具有强磁电耦合效应，可以通过调节Ga

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和Fe比例，使Tc达到室温以上，且Tc会随着Fe含量x的增加而增加，Ga0.6Fe1.4O3

的Tc远高于室温。随着人们对Ga0.6Fe1.4O3薄膜深入研究发现，纯Ga0.6Fe1.4O3薄膜在

制备时容易缺氧而产生氧空位和电子，存在较大的漏电流，测得的极化值较低。用低

价态的元素取代Fe3+可以产生空穴，带正电荷的空穴会中和一部分带负电荷的电子，

使薄膜漏电流密度减小。本论文中我们采用PLD方法，首先制备了Tc高于室温的

GaFeO薄膜，在此基础上，选择Cu元素对GaFeO薄膜进行掺杂，研究了Cu

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掺杂对GaFeO薄膜结构、磁性以及铁电性的影响。主要研究内容如下：

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（1）Ga0.6Fe1.4O3薄膜的制备与性能研究。采用脉冲激光沉积技术，在SrTiO3

（111）和Nb-STO（111）衬底上制备了Ga0.6Fe1.4O3薄膜，研究了退火后薄膜的结构、

形貌、元素化合价态、磁性以及铁电性能。退火后的Ga0.6Fe1.4O3薄膜结晶性较好，没

有杂质相，沿着（00l）方向外延生长；退火后GaFeO薄膜仍然存在氧空位。薄膜

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易磁化轴为面内方向，Tc约为380K。在SrTiO3（111）衬底上制备Ga0.6Fe1.4O3薄膜，

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存在良好的压电响应和铁电性，剩余极化值为0.004μC/cm，漏电流密度为10A/cm；

与SrTiO3（111）衬底上制备的Ga0.6Fe1.4O3薄膜相比，在Nb-STO（111）衬底上制备

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的GaFeO薄膜剩余极化值较大，为0.35μC/cm，漏电流密度较小，为10A/cm。

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（2）GaFeCuO（x=0.02和0.05）薄膜的制备与性能研究。利用脉冲激光沉

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积技术在SrTiO（111）和Nb-STO（111）衬底上制备了GaFeCuO（x=0.02和

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0.05）薄膜，研究了退火后薄膜的结构、形貌、化合价态、磁性和铁电性。结构测试

表明，退火后GaFeCuO（x=0.02和0.05）薄膜沿着（00l）方向外延生长，没有

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杂质相；XPS测试结果表明薄膜中Cu以