1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 建筑/施工
  5. 建筑规划

深圳市羽楷科技AP25G10GD 25A 100V N+P TO-252-4L.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约2.36万字
  • 约 10页
  • 2024-12-14 发布于广东
  • 举报

深圳市羽楷科技AP25G10GD 25A 100V N+P TO-252-4L.pdf

    AP25G10GD

    100VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP25G10GDusesadvancedtrenchtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

    orinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V100VI25A

    DSD

    RDS(ON)100mΩ@VGS=10V（Type：72mΩ）

    V=-100VI

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >