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- 2024-12-14 发布于广东
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AP140N03NF
35VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP140N03NFusesadvancedAPM-SGTVtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=35VI140A
DSD
RDS(ON)1.6mΩ@VGS=10V（Type：1.4mΩ）
Application
Boostdriv
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